公开(公告)号：CN116381832A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310281530.7

申请日：2023-03-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 廖艳林 ,  周衡 ,  祝海鹏 ,  韦肖肖 ,  陈昭旸 ,  陈翔 ,  周俊杰 ,  谌正艮

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明属于微纳光学器件领域，具体涉及一种基于超材料中红外窄带光吸收方法，本发明利用周期电介质微结构层和电介质膜层材料极低吸收损耗特性，降低器件吸收损耗，同时激发准连续域中束缚态将电磁场局域在顶层光栅结构中，并用低折射率电介质膜层将电磁场与金属膜层分开，实现吸收损耗降低；激发准连续域中束缚态获得极低的辐射损耗，且辐射损耗随着入射角度变化；调节光栅结构层和低折射率膜层结构参数，满足吸收损耗和辐射损耗相等的临界条件，进而实现完美光吸收，同时中红外吸收体可以满足窄带小角度范围需求，进而可以满足当前高灵敏气体分子检测对光源多维需求。