公开(公告)号：CN114573927A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210073556.8

申请日：2022-01-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 毛昌杰 ,  柏家奇 ,  徐兆生 ,  汪徐春 ,  王传虎 ,  叶坤 ,  周化光 ,  陈京帅

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/02 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C09K5/14

Abstract: 本发明涉及一种基于银修饰的石墨烯改性聚偏二氟乙烯及其制备方法和应用。通过在石墨烯纳米片间隙之间原位生长Ag纳米颗粒修饰石墨烯，之后将石墨烯/Ag和聚偏二氟乙烯混合热压制备纳米复合材料，该纳米复合材料的热导率高于纯聚偏二氟乙烯和石墨烯/Ag。该复合材料制备方法简单、所需导热填料较少且填料比表面积大、导热性能增强明显、成本低廉，有望为锂电池及电子元件在实际应用中的散热问题提供一个潜在的解决方案。

公开(公告)号：CN116281888A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310147154.2

申请日：2023-02-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 高阳 ,  王守国 ,  叶坤 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  臧一鹏 ,  陈学刚

IPC: C01B19/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用。所述制备方法包括：碲源和铜源通过化学气相沉积，在衬底上制备得到所述Cu7Te4纳米片。本发明提供一种通过化学气相沉积的过程，外延生长二维Cu7Te4纳米片，利用化学气相沉积的方法实现了二维Cu7Te4纳米片的生长。可以与传统的二维半导体形成具有理想的金属‑半导体界面，有望解决基于二维材料在电子，光电子器件和自旋电子器件中的接触问题。

公开(公告)号：CN119742138A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202510252510.6

申请日：2025-03-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 曹琳钰 ,  高阳 ,  叶坤 ,  杨蒙蒙 ,  王守国

IPC: H01F1/055 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提供了一种自发磁畴转变的稀土磁性材料、制备方法、应用，涉及稀土磁性功能领域，稀土磁性材料的化学式为RT2‑xMnx，R为Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er中的一种；T为Fe、Co、Ni中的一种，0≤x≤1。本发明采用上述的一种自发磁畴转变的稀土磁性材料、制备方法、应用，通过施加磁场实现了室温的磁泡类结构，并且通过变温改变磁泡形状，为磁畴结构的调控提供新的思路与方法。该磁畴转变在两种掺杂比例中均可实现，而且材料制备简单。

公开(公告)号：CN115467018A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211146075.1

申请日：2022-09-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 叶坤 ,  王守国 ,  高阳 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  陈学刚 ,  臧一鹏

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/64 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途。所述超薄卤化镍二维磁性材料的形状为六边形或截角六边形，超薄卤化镍二维磁性材料为单晶结构，超薄卤化镍二维磁性材料的厚度≤100nm。制备方法包括以下步骤：将卤化镍粉末前驱体置于双温区上游端，将镍箔和衬底置于双温区的下游端，镍箔和衬底之间形成等距狭缝，利用载气携带卤化镍前驱体，通过化学气相沉积法，在衬底表面沉积得到超薄卤化镍二维磁性材料。本发明提供的卤化镍二维磁性材料，厚度可控，形状规整，保证了其表面平整，制备方法中采用狭缝中得到稳定的层流，同时结合化学气相沉积法，得到的产品可应用于微型化光电器件与自旋电子器件为一体的新型电子器件中。

公开(公告)号：CN118155975A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410475982.3

申请日：2024-04-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 杨蒙蒙 ,  陈行 ,  叶坤 ,  郭俊明 ,  向南名 ,  时文强 ,  奚磊 ,  王守国

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种Co掺杂的二维铁磁材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将Fe、Co、Te混合并充分研磨，再与Ga混合，得到混合粉料；S2、将所述混合粉料放入石英管中，将石英管密封后抽真空；S3、将抽真空的石英管放置于管式炉中，将管式炉温度设置为950‑1100℃并保温22‑26h，然后将管式炉温度降至880‑900℃，之后以1℃/h的速率降温100h，最后自然冷却；S4、取出石英管中的烧结产物，敲击使其开裂，将脱落的片状晶体材料取出。本发明通过适宜的生长温度控制，可得到尺寸较大，生长速度较快的高质量单晶材料。

公开(公告)号：CN115467018B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202211146075.1

申请日：2022-09-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 叶坤 ,  王守国 ,  高阳 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  陈学刚 ,  臧一鹏

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/64 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途。所述超薄卤化镍二维磁性材料的形状为六边形或截角六边形，超薄卤化镍二维磁性材料为单晶结构，超薄卤化镍二维磁性材料的厚度≤100nm。制备方法包括以下步骤：将卤化镍粉末前驱体置于双温区上游端，将镍箔和衬底置于双温区的下游端，镍箔和衬底之间形成等距狭缝，利用载气携带卤化镍前驱体，通过化学气相沉积法，在衬底表面沉积得到超薄卤化镍二维磁性材料。本发明提供的卤化镍二维磁性材料，厚度可控，形状规整，保证了其表面平整，制备方法中采用狭缝中得到稳定的层流，同时结合化学气相沉积法，得到的产品可应用于微型化光电器件与自旋电子器件为一体的新型电子器件中。