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公开(公告)号：CN114015231B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111339266.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 中国科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种高导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法，涉及聚酰亚胺技术领域，是将氮化硼高温煅烧使其表面微氧化带负电，再通过静电作用在其表面生长ZIF8，得到复合导热填料；将复合导热填料与聚酰亚胺的聚合单体在溶剂中进行原位聚合反应制得聚酰胺酸，最后经流延成膜和热处理得到的。本发明中，ZIF8负载生长在BN表面，一方面，可以抑制BN在PI基体中的团聚，从而形成良好的导热通路；另一方面，ZIF8的有机配体2‑甲基咪唑与PI基体有好的相容性，从而抑制界面作用，可以减少声子在聚酰亚胺基体中界面散射，提高PI的导热性能；制备的聚酰亚胺薄膜的导热系数高、机械性能好，有很好的推广使用价值。
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公开(公告)号：CN119241876A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411180709.4
申请日：2024-08-27
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
IPC: C08J5/18 , H01L23/29 , H10K50/844 , H10K59/80 , C08L79/08 , C08K9/04 , C08K9/02 , C08K3/38 , C08G73/10
Abstract: 本发明公开一种高性能聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺技术领域；制备方法包括：将氮化硼煅烧进行表面氧化，分散在离子水中，经超声、离心、干燥后得到微氧化氮化硼；将微氧化氮化硼分散在去离子水中，加入聚乙烯亚胺反应得到改性氮化硼；将二胺单体和改性氮化硼分别分散在有机溶剂中，分别得到二胺溶液和分散液；将分散液加入二胺溶液，后加入二酐单体和封端剂，得到聚酰胺酸，并进行消泡处理，之后将聚酰胺酸涂覆成膜，进行亚胺化处理得到聚酰亚胺薄膜；聚乙烯亚胺吸附在BN表面可以抑制BN在PI基体中的团聚，提高BN在PI基体中的分散性和相容性，更好地抑制分子链的运动，同时将产生的热量导出，提高PI膜热稳定性和降低热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN116285347A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310163700.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜，将改性多孔氮化硼与二胺单体、二酐单体在溶剂中进行聚合反应得到聚酰胺酸溶液，然后经过真空脱泡、流延成膜、脱溶剂和热亚胺化得到。本发明还公开了上述高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明制备的聚酰亚胺薄膜的导热系数高、介电常数低，且机械性能好，有很好的推广使用价值。
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公开(公告)号：CN118325148A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410570451.2
申请日：2024-05-09
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种高水气阻隔聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于薄膜制备技术领域；一种高水气阻隔聚酰亚胺薄膜包括：惰性气氛下，将芳香二酐与芳香二胺按照0.95：1的摩尔比加入非质子极性溶剂中反应，得到胺过量的聚酰胺酸溶液；将硅烷偶联剂改性的膨润土加入所述胺过量的聚酰胺酸溶液中，分散均匀，加入芳香二酐反应调粘，得到聚酰胺酸混合液；将所述聚酰胺酸混合液流延至镜面钢带上，经过干燥、双向拉伸亚胺化，得到高水气阻隔聚酰亚胺薄膜。
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公开(公告)号：CN115926457B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211510169.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜膜，所述薄膜为将PDA/SiO2填料与聚酰亚胺的聚合单体在溶剂中进行原位聚合反应制得聚酰胺酸，最后经流延成膜和热处理所得，所述PDA/SiO2填料为多巴胺通过氧化自聚形成聚多巴胺沉积于二氧化硅表面，得到聚多巴胺包覆二氧化硅(PDA/SiO2)。本发明所述的PDA/SiO2填料中，PDA包覆在SiO2表面，抑制SiO2在基体中的团聚，提高分散性，PDA能够提供氨基、亚胺基等基团，增加与聚酰亚胺基体发生化学反应的活性位点，使填料与基体粘合力增加，本发明所制备的聚酰亚胺薄膜的热膨胀系数低，同时力学性能较好，具有很好的推广使用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119391016A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411181662.3
申请日：2024-08-27
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法，涉及聚酰亚胺膜制备技术领域；聚酰亚胺膜的制备方法，包括如下步骤：向极性溶剂中加入芳香族二胺和芳香族二酐，反应得到聚酰胺酸树脂；极性溶剂中加入分散剂和炭黑，得到浆料；将浆料加入到聚酰胺酸树脂中，再加入芳香族二酐，得到聚酰胺酸树脂溶液B；将芳香族二胺加入到上述聚酰胺酸树脂溶液B中，得到聚酰胺酸树脂溶液C，加入芳香族二酐得到聚酰胺酸树脂溶液D，加入封端剂，得到改性聚酰胺酸树脂溶液E；将溶液E进行脱泡、涂布及脱溶剂处理，得到凝胶膜，进行亚胺化处理，得到聚酰亚胺薄膜；本发明制备的薄膜具有较低吸水率以及优异的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN115386111B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210867701.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种导热性和热稳定性好的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，涉及聚酰亚胺薄膜制备技术领域，其制备包括以下步骤：将氧化石墨烯分散到N,N‑二甲基乙酰胺中，然后将锌盐、氨基咪唑和甲基咪唑加入其中，升温，搅拌反应；然后加入水合肼，搅拌反应，冷却，离心，洗涤，干燥，得到NH2‑ZIFs@RGO；将二元胺单体和NH2‑ZIFs@RGO分别加入到有机溶剂中，得到二元胺溶液和NH2‑ZIFs@RGO分散液；向二元胺溶液中分批加入二元酐单体，搅拌反应，然后加入NH2‑ZIFs@RGO分散液，搅拌反应，最后加入二元酐单体调粘，制得聚酰胺酸；将聚酰胺酸涂覆成膜，分段加热亚胺化处理，冷却，即得。本发明制备的PI薄膜的导热系数和热稳定性高，机械性能好，有很好的推广使用价值。
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公开(公告)号：CN117024797A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310577862.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种高模量、低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，涉及聚酰亚胺膜制备技术领域。包括如下步骤：(1)制备低粘度聚酰胺酸树脂，由所述低粘度聚酰胺酸树脂制备低分子量聚酰亚胺材料；(2)将所述低分子量聚酰亚胺材料进行粉碎、研磨、溶解，得到溶解液；(3)向所述溶解液中加入二胺、二酐和改性剂，反应得到聚酰亚胺‑聚酰胺酸树脂；(4)对所述聚酰亚胺‑聚酰胺酸树脂进行脱泡、涂布及脱溶剂处理，得到凝胶膜，对所述凝胶膜进行亚胺化处理，得到聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜热膨胀系数为4.1‑7.6ppm/k，模量为8.2‑9.7GPa。
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公开(公告)号：CN115895256A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211510224.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种高强度、高模量剂及低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，具体包括以下步骤：将无机盐加入到极性溶剂中进行溶解得到无机盐分散液，分别往二胺单体中加入一定量的极性溶剂、改性剂、离子液、无机盐分散液和冰醋酸按照一定比例混合后，加热搅拌一段时间后加入等量二酐单体，经过反应得到改性聚酰胺酸树脂。将该聚酰胺酸树脂通过刮刀涂布在钢板上，将涂布后的钢板放入烘箱中通过调节烘箱温度进行脱溶剂、酰亚胺化等工序，得到高强度、高模量及低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜。本发明得到的高强度、高模量及低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜，经测试，其强度为300‑400MPa，模量为7‑9GPa，CTE为5‑10ppm/K。
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公开(公告)号：CN115895256B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211510224.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 安徽国风新材料股份有限公司 , 安徽国风新材料技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种高强度、高模量剂及低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，具体包括以下步骤：将无机盐加入到极性溶剂中进行溶解得到无机盐分散液，分别往二胺单体中加入一定量的极性溶剂、改性剂、离子液、无机盐分散液和冰醋酸按照一定比例混合后，加热搅拌一段时间后加入等量二酐单体，经过反应得到改性聚酰胺酸树脂。将该聚酰胺酸树脂通过刮刀涂布在钢板上，将涂布后的钢板放入烘箱中通过调节烘箱温度进行脱溶剂、酰亚胺化等工序，得到高强度、高模量及低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜。本发明得到的高强度、高模量及低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜，经测试，其强度为300‑400MPa，模量为7‑9GPa，CTE为5‑10ppm/K。
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