公开(公告)号：CN1228821C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN03110796.6

申请日：2003-02-08

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 土屋信昭 ,  佐护康实 ,  池田真义

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/513 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32165

Abstract: 本发明公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本发明还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。

公开(公告)号：CN1444257A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03110796.6

申请日：2003-02-08

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 土屋信昭 ,  佐护康实 ,  池田真义

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/513 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32165

Abstract: 本申请公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本申请还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。