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公开(公告)号：CN119433580A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411575851.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 宁波工程学院
IPC: C25B11/077 , H01B13/00 , H01B5/14 , C25B11/087 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种CuBi2O4薄膜电极的制备方法及其应用，属于薄膜材料领域。述的CuBi2O4薄膜电极制备方法为：将0.05mol/L～0.2mol/L乙酸铜和0.05mol/L～0.2mol/L乙酸钠的水溶液混合得到电解质Ⅰ，在FTO上采用电沉积法得到Cu2O薄膜；向0.05mol/L～0.3mol/L硝酸铋溶液中加入配位剂、KOH以及熔盐KNO3或加水稀释得到溶液Ⅱ；将得到的Cu2O薄膜在溶液Ⅱ中提拉浸渍后，进行退火处理，后用去离子水冲洗，干燥后即得到CuBi2O4薄膜电极。本发明通过调控乙酸铜和乙酸钠的浓度比例，得到表面均匀致密性好的Cu2O，并在此基础上优化配位剂、矿化剂以及熔盐的浓度，制备出高质量的CuBi2O4薄膜电极。
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