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公开(公告)号：CN101684569A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810165915.2
申请日：2008-09-23
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及人工晶体生长领域，是一种新型的KDP类晶体的生长方法和装置，即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成，容器部分包括：保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分，中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水，用作水浴保温，为高温区。上层利用空气浴保温，为低温区。生长缸也分为两部分，上盖部分为溶解室，下面部分为生长室。生长室在保温层水浴中，溶解室在保温层空气浴中。本发明的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置，可在相对较小的生长槽中，生长出较大尺寸的晶体。生长速度快，晶体质量高，生长设备简单，成本的投入降低，提高了经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101684569B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810165915.2
申请日：2008-09-23
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及人工晶体生长领域，是一种新型的KDP类晶体的生长方法和装置，即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成，容器部分包括：保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分，中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水，用作水浴保温，为高温区。上层利用空气浴保温，为低温区。生长缸也分为两部分，上盖部分为溶解室，下面部分为生长室。生长室在保温层水浴中，溶解室在保温层空气浴中。本专利的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置，可在相对较小的生长槽中，生长出较大尺寸的晶体。生长速度快，晶体质量高，生长设备简单，成本的投入降低，提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN101928987A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910149817.4
申请日：2009-06-26
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及一种新型红外非线性晶体五钒酸铷(简称：RVO)，属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为Rb3V5O14，属于三方晶系，空间群为P31m，单胞参数为：a＝8.7324b＝8.7314c＝5.2707α＝β＝90.000°，γ＝120°，V＝347.21晶体的颜色为砖红色，不溶于水。用分析纯Rb2CO3和V2O5为原料，按按摩尔比为1∶1.5～1∶2称量，经研磨混合后置于铂金坩埚中，加热至500℃，即得到五钒酸铷。晶体是同成分融化的，可用提拉法生长晶体。该晶体用于中远红外区的非线性光学领域的应用。
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公开(公告)号：CN101481820A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810002159.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 宁波大学
Abstract: 一种碘化亚铜晶体的生长方法，属于光电子功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域，尤其是涉及一种作为超快闪烁晶体材料。该方法使用乙腈为生长溶剂，在高温高于40摄氏度以上，利用惰性气体保护，采用溶剂蒸发的方法生长晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在高能物理、核医学成像等方面具有很重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN102191545A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010139463.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 宁波大学
Abstract: 一种溴化亚铜晶体的生长方法，属于功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域。该方法使用含卤离子的离子液体为生长溶剂，采用降温法生长溴化亚铜晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在激光、光电技术等方面具有很重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101928984A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910149816.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 宁波大学
Abstract: 一种碘化亚铜晶体的生长方法，属于光电子功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域，尤其是涉及一种作为超快闪烁晶体材料。该方法使用含卤离子的离子液体为生长溶剂，采用降温法的方法生长晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在高能物理、核医学成像等方面具有很重要的应用价值。
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