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公开(公告)号：CN109850904B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201811624760.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 宁夏大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料，将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；将提纯原料倒入反应炉中，通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，以将反应炉中的空气排出；按照8℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃，然后自然冷却至室温；对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理，具体为提纯原料在室温时，按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上，然后保温5～25min；自然冷却至室温，然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
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公开(公告)号：CN109628995A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811624705.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法包括：将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，按照7℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至1300℃；提纯原料在1300℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至900℃；提纯原料在900℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至600℃，自然冷却至室温。
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公开(公告)号：CN109628995B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811624705.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法包括：将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4；按照7℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至1300℃；提纯原料在1300℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至900℃；提纯原料在900℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至600℃，自然冷却至室温。
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公开(公告)号：CN109850904A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811624760.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 宁夏大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料，将铝硅原料按照Al-50wt%Si进行配比作为提纯原料；将提纯原料倒入反应炉中，通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，以将反应炉中的空气排出；按照8℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃，然后自然冷却至室温；对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理，具体为提纯原料在室温时，按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上，然后保温5～25min；自然冷却至室温，然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
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