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公开(公告)号：CN110011617B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910259916.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 本发明是一种双面电池PN结测量方法，通过石墨管状电极真空吸附待测硅片，使待测面接触电解溶液氧化生成二氧化硅薄膜，再通过光纤光谱仪实时监控测量薄膜厚度，用氢氟酸溶液将氧化层去除，四探针测量电阻率，重复氧化层生成‑测量膜厚‑腐蚀氧化层‑测量电阻率步骤，直到电阻率等于基片电阻。将硅片翻转重复上述步骤，实现背面PN结深度的测量。本发明所述的PN结深度的测量方法适用于双面电池结深测量，具有步骤简单、成本低廉、测量精准的特点。
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公开(公告)号：CN109941012A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910259917.6
申请日：2019-04-02
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 本发明公开了丝网印刷机的太阳能电池正电极印刷参数的调整方法，包括丝网印刷机、太阳能电池片，所述丝网印刷机包括网版与印刷平台，所述网版位于印刷平台正上方，所述网版的上方设置有刮条，在丝网印刷机印刷时参数设置与调整方法通过合理设置调整丝网间距、刮条下降深度、印刷速度、印刷压力的参数值调节栅线的宽度，增加栅线的高宽比，减少由于栅线遮光造成的电池功率损失，同时较大的高宽比使得栅线横截面增大、电阻减小，从而降低由栅线电阻引起的功率损失，最终有利于电池片转换效率的提升，在实际使用中，能够精确、有效的调节和控制正电极印刷湿重、栅线印刷宽度，确保良好的高宽比，同时能够降低隐裂片、增加网版使用寿命。
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公开(公告)号：CN110011617A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910259916.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 本发明是一种双面电池PN结测量方法，通过石墨管状电极真空吸附待测硅片，使待测面接触电解溶液氧化生成二氧化硅薄膜，再通过光纤光谱仪实时监控测量薄膜厚度，用氢氟酸溶液将氧化层去除，四探针测量电阻率，重复氧化层生成-测量膜厚-腐蚀氧化层-测量电阻率步骤，直到电阻率等于基片电阻。将硅片翻转重复上述步骤，实现背面PN结深度的测量。本发明所述的PN结深度的测量方法适用于双面电池结深测量，具有步骤简单、成本低廉、测量精准的特点。
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公开(公告)号：CN108987497A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810809963.4
申请日：2018-07-23
Applicant: 宁夏大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法。将硅片RCA方法清洗后，再热生长二氧化硅作为光刻掩膜，进行匀胶、光刻、显影、刻蚀得到微纳米柱状小孔织构。本发明所制备的晶硅太阳能电池表面微纳米织构不引入稀贵金属离子，成本低廉、不会引起电池表面复合降低电池转换效率，且微纳米织构结构均匀、工艺重复性可控性好，适用于工业化生产。
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