基于磁场控制的弯曲波立柱型磁弹超表面及其操作方法

    公开(公告)号:CN114824816B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202210516189.4

    申请日:2022-05-12

    Applicant: 宁夏大学

    Abstract: 本发明提供了基于磁场控制的弯曲波立柱型磁弹超表面及其操作方法,涉及人工超材料技术领域,包括:单胞结构单元和铝合金基板层;若干个所述单胞结构单元周期性均匀排列且与铝合金基板层粘连形成超表面结构,铝合金基板采用的是板状结构,单胞结构单元包括柱状谐振体单元,且每两个单胞结构单元之间设有槽,将智能材料与超表面结构相结合制成的超表面,在波束传播方向上具有亚波长量级,通过磁场强度的不同可以对弹性波的振幅、相位、等参量进行调节和控制,解决当前超表面结构与适用功能单一的问题。

    基于磁场控制的弯曲波立柱型磁弹超表面及其操作方法

    公开(公告)号:CN114824816A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210516189.4

    申请日:2022-05-12

    Applicant: 宁夏大学

    Abstract: 本发明提供了基于磁场控制的弯曲波立柱型磁弹超表面及其操作方法,涉及人工超材料技术领域,包括:单胞结构单元和铝合金基板层;若干个所述单胞结构单元周期性均匀排列且与铝合金基板层粘连形成超表面结构,铝合金基板采用的是板状结构,单胞结构单元包括柱状谐振体单元,且每两个单胞结构单元之间设有槽,将智能材料与超表面结构相结合制成的超表面,在波束传播方向上具有亚波长量级,通过磁场强度的不同可以对弹性波的振幅、相位、等参量进行调节和控制,解决当前超表面结构与适用功能单一的问题。

    一种基于磁-电-弹的振动能量收集装置及其收集方法

    公开(公告)号:CN119171775A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411560947.8

    申请日:2024-11-04

    Applicant: 宁夏大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁‑电‑弹的振动能量收集装置及其收集方法,涉及新型人工超材料技术领域,包括:磁‑电‑弹声子晶体梁和若干步进电机;所述声子晶体梁由若干单胞结构排列组成,所述单胞由磁致伸缩柱、压电片和铝条组成;所述步进电机末端连接磁铁块用于调节磁场大小,通过控制磁铁块的距离实现对带隙和缺陷态的调控;通过压电片将振动产生的能量转化为电能,再由电路进行收集储存,形成自补能系统,补充主体结构的供能,增强其整体动态可调控性,解决传统声子晶体梁难以俘获多频段和多位置缺陷态处的振动能量的技术问题。

    一种磁-热响应式声子晶体板装置及其弹性波谷态传输特性调控方法

    公开(公告)号:CN119580685A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411771791.8

    申请日:2024-12-04

    Applicant: 宁夏大学

    Abstract: 本发明公开了一种磁‑热响应式声子晶体板装置及其弹性波谷态传输特性调控方法,涉及新型人工超材料技术领域,包括:磁‑热‑弹声子晶体板和若干磁铁及热电片;所述声子晶体板由若干单胞结构排列组成,所述单胞由磁致伸缩柱和铝板组成;通过调节磁铁块的距离实现对外加磁场的调控;通过控制热电片来控制不同磁致伸缩柱的温度,实现对温度场的调节;诱导产生宽频的弹性波谷霍尔界面态,在不改变结构的前提下实现磁‑热双重激励对谷态拓扑传输路径的动态可调性。本发明解决了传统拓扑声子晶体在不改变结构的前提下,难以实现动态调控弹性波谷霍尔界面态的频率及拓扑传输路径的技术问题。

    一种用于实现热磁可调声子晶体梁拓扑界面态的夹持装置

    公开(公告)号:CN222155303U

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202420574214.9

    申请日:2024-03-25

    Applicant: 宁夏大学

    Abstract: 本申请公开了一种用于实现热磁可调声子晶体梁拓扑界面态的夹持装置,属于新型功能材料技术领域,该用于实现热磁可调声子晶体梁拓扑界面态的夹持装置,包括光学平台,其上螺纹安装有两个立杆和四个螺纹杆,两个所述立杆的外部均安装有可上下往复运动的横杆,二者垂直布置,两个所述横杆的外部滑动安装有十字顶丝固定夹,二者之间安装有亚克力圆管,所述亚克力圆管的外部套有多个小环形磁铁和大环形磁铁,且二者之间通过亚克力圆环隔开。通过改变可控外部磁场而无需改变磁致伸缩声子晶体梁的结构就可以诱导出结构的拓扑界面态,所以可以通过调节外部磁场的大小来实现拓扑界面态的位置可调性,这大大拓宽了声子晶体系统对拓扑界面态的调节特性。

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