公开(公告)号：CN117153961B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311431115.1

申请日：2023-10-31

Applicant: 季华实验室

Inventor： 蔡炜 ,  马宝真 ,  韩青原 ,  郑喜凤

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种HEMT驱动MicroLED一体化背板及其制作方法，属于MicroLED领域，方法步骤包括，在衬底上生长HEMT外延结构，在HEMT外延结构上依次生长三种单色LED外延结构，得到外延片，刻蚀至衬底对外延片分区，沉积钝化层，刻蚀通孔，再沉积导体，以使三个LED区的n‑GaN层相连且连接至一个HEMT区，余下三个HEMT区各与一个LED区的p‑GaN层相连。本发明将HEMT与三色LED器件在外延端集成在单一衬底上，可以回避因复杂的封装和键合工艺造成的寄生参数的影响，可以绕开繁琐的巨量转移及巨量转移后的检测工序，对突破Micro‑LED面板产业化瓶颈有一定意义。

公开(公告)号：CN117153961A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311431115.1

申请日：2023-10-31

Applicant: 季华实验室

Inventor： 蔡炜 ,  马宝真 ,  韩青原 ,  郑喜凤

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种HEMT驱动MicroLED一体化背板及其制作方法，属于MicroLED领域，方法步骤包括，在衬底上生长HEMT外延结构，在HEMT外延结构上依次生长三种单色LED外延结构，得到外延片，刻蚀至衬底对外延片分区，沉积钝化层，刻蚀通孔，再沉积导体，以使三个LED区的n‑GaN层相连且连接至一个HEMT区，余下三个HEMT区各与一个LED区的p‑GaN层相连。本发明将HEMT与三色LED器件在外延端集成在单一衬底上，可以回避因复杂的封装和键合工艺造成的寄生参数的影响，可以绕开繁琐的巨量转移及巨量转移后的检测工序，对突破Micro‑LED面板产业化瓶颈有一定意义。

公开(公告)号：CN116246562B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310516080.5

申请日：2023-05-09

Applicant: 季华实验室

Inventor： 马宝真 ,  蔡炜 ,  韩青原 ,  郑喜凤

IPC: G09G3/00 ,  G09F9/33

Abstract: 本申请涉及显示面板检测技术领域，具体提供了一种用于显示面板的无接触检测系统及方法，该系统包括：待测试显示面板，其包括有源驱动Micro‑LED阵列；无接触充电组件，用于为有源驱动Micro‑LED阵列充电；感光阵列，用于采集有源驱动Micro‑LED阵列的发光信息；控制器，与无接触充电组件和感光阵列电性连接，用于控制无接触充电组件为有源驱动Micro‑LED阵列充电，还用于根据发光信息检测待测试显示面板是否存在显示缺陷；该系统能够有效地避免出现由于检测组件需要与待测试显示面板上的焊盘和导线接触而导致损坏待测试显示面板上的焊盘、焊点和导线等意外情况。

公开(公告)号：CN116246562A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310516080.5

申请日：2023-05-09

Applicant: 季华实验室

Inventor： 马宝真 ,  蔡炜 ,  韩青原 ,  郑喜凤

IPC: G09G3/00 ,  G09F9/33

Abstract: 本申请涉及显示面板检测技术领域，具体提供了一种用于显示面板的无接触检测系统及方法，该系统包括：待测试显示面板，其包括有源驱动Micro‑LED阵列；无接触充电组件，用于为有源驱动Micro‑LED阵列充电；感光阵列，用于采集有源驱动Micro‑LED阵列的发光信息；控制器，与无接触充电组件和感光阵列电性连接，用于控制无接触充电组件为有源驱动Micro‑LED阵列充电，还用于根据发光信息检测待测试显示面板是否存在显示缺陷；该系统能够有效地避免出现由于检测组件需要与待测试显示面板上的焊盘和导线接触而导致损坏待测试显示面板上的焊盘、焊点和导线等意外情况。