具有一维链状结构的荧光材料及其合成方法与荧光器件

    公开(公告)号:CN116120230A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310421057.8

    申请日:2023-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种具有一维链状结构的荧光材料及其合成方法与荧光器件,属于荧光材料领域,合成步骤包括,在加热搅拌的条件下用去离子水溶解9‑氨基吖啶,得到第一溶液,在加热搅拌的条件下将碘酸溶解于第一溶液中,得到第二溶液,加热第二溶液使溶剂挥发,得到化学式为(C13H11N2)IO3的黄色棒状晶体;[IO3]‑形成一维无机链,[C13H11N2]+为质子化的9‑氨基吖啶,具有式Ⅰ的结构,[C13H11N2]+与[IO3]‑链通过氢键连接,在激发光波长为375 nm时,发射绿色荧光,发光峰值在560nm,合成方法简单、化学组分易于控制、重复性好、产量高、成本低廉。

    一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112786785B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202110030859.7

    申请日:2021-01-11

    Inventor: 张钰 吴雨辰 江雷

    Abstract: 本发明公开一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用,包括以下步骤:(1)在基底上滴加第一有机半导体溶液;(2)取表面刻蚀有硅柱的另一氧化硅片,将刻蚀有硅柱的一面覆盖在第一有机半导体溶液之上,在50‑120℃下加热;(3)滴加第二有机半导体溶液,第二有机半导体溶液覆盖基底,在50‑120℃下加热。采用本发明所提供的制备方法得到的超薄一维有机单晶阵列薄膜,厚度薄,取向度好,有利于工业化大规模生产应用。

    一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN112899769A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110063510.3

    申请日:2021-01-18

    Inventor: 付悦 吴雨辰 江雷

    Abstract: 本发明公开了一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法,所述全光谱钙钛矿纳米线阵列制备方法包括以下步骤:配制卤素基团为溴的钙钛矿前驱体溶液;利用钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿纳米线阵列;配制溶质分别含氯、含碘的两种离子交换溶液;将钙钛矿纳米线阵列的一端浸泡在其一离子交换溶液中,并持续提拉钙钛矿纳米线阵列;取出一端形成异质结的钙钛矿纳米线阵列,并清洗、烘干;将钙钛矿纳米线阵列的另一端浸泡在另一离子交换溶液中,并持续提拉钙钛矿纳米线阵列;取出另一端也形成异质结的钙钛矿纳米线阵列,并清洗、烘干。该制备方法可直接在宏观角度下简便地制造出具有全波段光谱的特性谱钙钛矿纳米线阵列。

    一种非线性光学晶体及其制备方法、非线性光学器件

    公开(公告)号:CN114775062A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210725124.0

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种非线性光学晶体及其制备方法、非线性光学器件,属于非线性光学晶体领域,其化学式为(R/S‑C8H10Cl2N)4AgBiI8·H2O,属于正交晶系,空间群为P21212,晶胞参数:a=30.4964Å(R)/30.4636Å(S),b=9.6054Å(R)/9.5940Å(S),c=9.4961Å(R)/9.4791Å(S),α=β=γ=90°。该有机‑无机杂化金属卤化物非线性光学晶体采用溶液蒸发法生长,不含铅,透过范围:0.65‑3.2μm,在近红外和红外区域表现出优异的倍频性能,其粉末倍频性能为0.03×AgGaS2,该晶体可应用于非线性光学领域,丰富非线性光学材料研究内容。

    一种制备导电聚合物一维纳米阵列的方法

    公开(公告)号:CN112851968A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110030862.9

    申请日:2021-01-11

    Inventor: 王魁 吴雨辰 江雷

    Abstract: 本发明公开了一种制备导电聚合物一维纳米阵列的方法,修饰硅柱阵列;制备分散液;对基底进行预处理;将所述分散液滴于修饰后的硅柱阵列表面,再将所述基底覆盖于硅柱阵列的表面并对硅柱阵列和基底施加一定的压力使两者压紧,然后将压紧后的硅柱阵列和基底置于一定的温度下烘干,得到导电聚合物一维纳米阵列;本技术方案利用预先设计的硅柱阵列,诱导导电聚合物分散液在各种基底表面的限域自组装,得到位置、形状精确调控的一维纳米线阵列;本方法简单易行,阵列尺寸可控,导电聚合物分子高度取向,能够制备大面积高质量的导电聚合物一维纳米阵列。

    一种有机无机杂化的双折射晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114635190B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202210288255.7

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本申请涉及晶体材料领域,公开了一种有机无机杂化的双折射晶体及其制备方法和应用,所述有机无机杂化的双折射晶体的化学式为(C5H6NO)+(H2PO4)‑,所述有机无机杂化的双折射晶体属于单斜晶系,空间群是P21/c。所述有机无机杂化的双折射晶体具有较大的双折射率和透过性能,为具有极大潜在应用价值的双折射晶体材料,可用于制作偏振棱镜,电光调节开关等,并且在光学通讯、微加工和光刻等方面均可以应用。

    一种非线性光学晶体及其制备方法、非线性光学器件

    公开(公告)号:CN114775062B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210725124.0

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种非线性光学晶体及其制备方法、非线性光学器件,属于非线性光学晶体领域,其化学式为(R/S‑C8H10Cl2N)4AgBiI8·H2O,属于正交晶系,空间群为P21212,晶胞参数:a=30.4964Å(R)/30.4636Å(S),b=9.6054Å(R)/9.5940Å(S),c=9.4961Å(R)/9.4791Å(S),α=β=γ=90°。该有机‑无机杂化金属卤化物非线性光学晶体采用溶液蒸发法生长,不含铅,透过范围:0.65‑3.2μm,在近红外和红外区域表现出优异的倍频性能,其粉末倍频性能为0.03×AgGaS2,该晶体可应用于非线性光学领域,丰富非线性光学材料研究内容。

    一种有机无机杂化的双折射晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114635190A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210288255.7

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本申请涉及晶体材料领域,公开了一种有机无机杂化的双折射晶体及其制备方法和应用,所述有机无机杂化的双折射晶体的化学式为(C5H6NO)+(H2PO4)‑,所述有机无机杂化的双折射晶体属于单斜晶系,空间群是P21/c。所述有机无机杂化的双折射晶体具有较大的双折射率和透过性能,为具有极大潜在应用价值的双折射晶体材料,可用于制作偏振棱镜,电光调节开关等,并且在光学通讯、微加工和光刻等方面均可以应用。

    一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN112899769B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202110063510.3

    申请日:2021-01-18

    Inventor: 付悦 吴雨辰 江雷

    Abstract: 本发明公开了一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法,所述全光谱钙钛矿纳米线阵列制备方法包括以下步骤:配制卤素基团为溴的钙钛矿前驱体溶液;利用钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿纳米线阵列;配制溶质分别含氯、含碘的两种离子交换溶液;将钙钛矿纳米线阵列的一端浸泡在其一离子交换溶液中,并持续提拉钙钛矿纳米线阵列;取出一端形成异质结的钙钛矿纳米线阵列,并清洗、烘干;将钙钛矿纳米线阵列的另一端浸泡在另一离子交换溶液中,并持续提拉钙钛矿纳米线阵列;取出另一端也形成异质结的钙钛矿纳米线阵列,并清洗、烘干。该制备方法可直接在宏观角度下简便地制造出具有全波段光谱的特性谱钙钛矿纳米线阵列。

    具有一维链状结构的荧光材料及其合成方法与荧光器件

    公开(公告)号:CN116120230B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310421057.8

    申请日:2023-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种具有一维链状结构的荧光材料及其合成方法与荧光器件,属于荧光材料领域,合成步骤包括,在加热搅拌的条件下用去离子水溶解9‑氨基吖啶,得到第一溶液,在加热搅拌的条件下将碘酸溶解于第一溶液中,得到第二溶液,加热第二溶液使溶剂挥发,得到化学式为(C13H11N2)IO3的黄色棒状晶体;[IO3]‑形成一维无机链,[C13H11N2]+为质子化的9‑氨基吖啶,具有式Ⅰ的结构,[C13H11N2]+与[IO3]‑链通过氢键连接,在激发光波长为375 nm时,发射绿色荧光,发光峰值在560nm,合成方法简单、化学组分易于控制、重复性好、产量高、成本低廉。

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