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发明公开
激光沉积成形方法、电子设备及存储介质审中-实审

公开(公告)号：CN116493604A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310411217.0

申请日：2023-04-17

Applicant: 季华实验室

Inventor： 王瑞 , 胡晓圻 , 杨季鑫 , 吴梦园

IPC: B22F10/28 , B22F10/85 , B22F12/90 , B33Y40/00 , B33Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种激光沉积成形方法、电子设备及存储介质，涉及增材制造技术领域，该方法包括：获取回转体三维模型，对所述回转体三维模型进行切片处理，得到多个具有不同切片方向的切片层，所述切片方向为与所述回转体三维模型的骨架线切向方向垂直的方向；在所述切片层中划分成形轨迹；确定与所述切片层对应的姿态参数；根据所述姿态参数控制激光熔覆头到达与所述切片层对应的姿态，再开启激光，沉积成形所述成形轨迹，直至完成所有成形轨迹的成形，得到回转体零件。本发明通过变方向切片和调整激光熔覆头姿态，实现了提高回转体零件成形质量的技术效果。

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