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公开(公告)号：CN119663433B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510193748.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10F77/12 , H10F77/16 , H10F77/169
Abstract: 本发明属于二维薄膜材料生长技术领域，公开了一种2H相半导体二硫化铂单晶及其制备方法。该方法包括步骤：向Pt基化合物滴加金属卤化物水溶液，混合后加热烘干得到Pt源混合物；将预处理后的生长基底倒扣于Pt源混合物上方，置于石英管内部的高温区；将硫磺粉末置于上游石英管内部的低温区，在混合气氛中，硫磺粉末受热挥发出的S蒸气向管式炉高温区进行扩散，与高温区中Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶；或将ZnS粉末同样置于高温区，在惰性气体气氛中，ZnS粉末分解出的S蒸气与Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶。
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公开(公告)号：CN119208429A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411698027.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器，涉及光学检测技术领域，单光子雪崩二极管包括硅层和逻辑晶圆，硅层的顶部形成有填充区，填充区中填充有二氧化硅，硅层中设置有雪崩区和PN结；逻辑晶圆设置于硅层的底部，且逻辑晶圆与硅层相互键合，PN结靠近逻辑晶圆设置，雪崩区设置于PN结与填充区之间。在填充区填满不具备吸收近紫外光能力的二氧化硅，这样就使得近紫外光穿过二氧化硅进入硅层后，被硅层吸收生成电子空穴对，此时电子空穴对与雪崩区之间的距离大幅缩减，这样多个电子空穴对在迁移过程中发生的电子空穴对复合的数量就会降低，从而提高整个单光子雪崩二极管的检测效率。
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公开(公告)号：CN115894079A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211421282.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 季华实验室
IPC: C04B41/83
Abstract: 本公开涉及一种聚苯乙烯微球膜及其制备方法和应用，所述聚苯乙烯微球膜包括聚苯乙烯单层膜以及位于聚苯乙烯单层膜一侧的基底，所述制备方法包括如下步骤：(1)将表面带有水膜的基底与表面带有表面活性剂膜的溶剂水形成接触面，所述基底与水面呈倾斜设置；(2)在基底表面未接触溶剂水的地方滴加含有聚苯乙烯微球的溶液，然后静置；(3)取出基底并干燥，得到所述聚苯乙烯微球膜。本公开提供的聚苯乙烯微球膜的制备方法，通过调整亲水基底的倾斜角度，能够提高聚苯乙烯微球在基底上的成膜质量，制备得到大面积密集排布的聚苯乙烯微球单层膜，突破了传统打捞法的局限性，定制了一个可量化的制备聚苯乙烯微球单层膜的标准，具有可重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115894079B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211421282.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种聚苯乙烯微球膜及其制备方法和应用，所述聚苯乙烯微球膜包括聚苯乙烯单层膜以及位于聚苯乙烯单层膜一侧的基底，所述制备方法包括如下步骤：(1)将表面带有水膜的基底与表面带有表面活性剂膜的溶剂水形成接触面，所述基底与水面呈倾斜设置；(2)在基底表面未接触溶剂水的地方滴加含有聚苯乙烯微球的溶液，然后静置；(3)取出基底并干燥，得到所述聚苯乙烯微球膜。本公开提供的聚苯乙烯微球膜的制备方法，通过调整亲水基底的倾斜角度，能够提高聚苯乙烯微球在基底上的成膜质量，制备得到大面积密集排布的聚苯乙烯微球单层膜，突破了传统打捞法的局限性，定制了一个可量化的制备聚苯乙烯微球单层膜的标准，具有可重复性。
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公开(公告)号：CN115377253A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211315164.4
申请日：2022-10-26
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/308 , H01L31/0236
Abstract: 本公开涉及一种陷光结构的制备方法及陷光结构，涉及半导体技术领域。陷光结构的制备方法包括：在基底上形成陷光结构窗口限定层；在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球层掩膜；通过所述聚合物微球层掩膜刻蚀所述陷光结构窗口限定层形成陷光结构窗口掩膜；去除所述聚合物微球层掩膜后，在未覆盖有所述陷光结构窗口掩膜的区域形成氧化层掩膜；去除所述陷光结构窗口掩膜后，通过所述氧化层掩膜刻蚀所述基底形成陷光结构；去除所述氧化层掩膜。本公开在制作陷光结构的过程中不需要使用光刻技术，制作成本低，可以满足多种精度要求，可实现陷光结构大规模可重复性制备。
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公开(公告)号：CN117660921A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311840163.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C01G39/06
Abstract: 本申请提供了一种二硫化钼薄片的制备方法，涉及金属硫化物技术领域，该制备方法包括以下步骤：将钼蒸汽和硫蒸汽在限域空间中反应后生长二硫化钼薄片；所述限域空间位于第一基底和第二基底之间；所述第一基底和第二基底相对设置；所述钼蒸汽由钼源产生；所述钼源包括以下制备原料：三氧化钼、金属卤化物和氨水。本申请使钼蒸汽和硫蒸汽在限域空间内生长，从而形成了均一的二硫化钼薄片；在限域空间内，生长气氛稳定；钼源形成的钼蒸汽在限域空间内浓度高且不存在浓度梯度，从而形成均一的二硫化钼薄片；即本申请通过优化水平生长工艺，提高了二硫化钼薄片的生长均匀性。
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公开(公告)号：CN119663433A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510193748.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10F77/12 , H10F77/16 , H10F77/169
Abstract: 本发明属于二维薄膜材料生长技术领域，公开了一种2H相半导体二硫化铂单晶及其制备方法。该方法包括步骤：向Pt基化合物滴加金属卤化物水溶液，混合后加热烘干得到Pt源混合物；将预处理后的生长基底倒扣于Pt源混合物上方，置于石英管内部的高温区；将硫磺粉末置于上游石英管内部的低温区，在混合气氛中，硫磺粉末受热挥发出的S蒸气向管式炉高温区进行扩散，与高温区中Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶；或将ZnS粉末同样置于高温区，在惰性气体气氛中，ZnS粉末分解出的S蒸气与Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶。
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公开(公告)号：CN116002672A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211523714.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 季华实验室
IPC: C01B32/186 , C30B29/02 , C30B25/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体制备方法，涉及石墨烯制备技术领域。所述石墨烯晶体制备方法采用等离子体增强的化学气相沉积装置，所述气相沉积装置包括合成腔室和射频电源，该方法包括：将绝缘衬底置于所述合成腔室内，并将所述合成腔室抽至真空后，向所述合成腔室内通入生长气体；将所述绝缘衬底升温至预设成核温度后，通过所述射频电源产生等离子体；将所述预设成核温度维持预设成核时长，以使所述绝缘衬底上生成石墨烯小晶核；将所述绝缘衬底调温至预设生长温度后，并将所述预设生长温度维持预设生长时长，以使所述绝缘衬底上的石墨烯小晶核沿其自身边缘横向生长为大尺寸石墨烯晶体。本发明实现了大尺寸石墨烯晶体的制备。
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