公开(公告)号：CN108604538A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680081684.X

申请日：2016-12-14

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： A.沃尔科瓦 ,  V.伊万索夫 ,  A.塞尔金 ,  B.哈斯克尔 ,  H.埃尔-古劳里

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/15 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01J1/308 ,  C30B29/406 ,  C30B29/62 ,  C30B29/66 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/20 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544

Abstract: 公开了一种用于在衬底上生长强烈对准的均匀横截面半导体复合纳米柱的方法。该方法包含：（a）在衬底表面上形成刻面锥体凹陷；（b）在凹陷的刻面上发起成核；以及（c）促进核朝向凹陷的中心的生长，在凹陷的中心处，核利用孪晶聚结并随后一起生长作为复合纳米柱。能够在纳米柱的侧壁上生长多量子阱、芯-壳纳米柱异质结构。此外，能够通过纳米柱的过度生长形成连续的半导体外延层，以便于制造高质量的平面器件结构或以用于发光结构。