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公开(公告)号：CN115117731A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210683957.5
申请日：2022-06-17
Applicant: 太原理工大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成混沌激光器技术领域，特别是涉及一种基于分布式布拉格反射光栅的集成式波长可调谐单片混沌半导体激光器，包括集成在同一芯片衬底上，并且依次设置的增益区、分布式布拉格反射光栅区、半导体光放大区和相位区；所述增益区的外侧端面镀有反射膜，所述相位区的外端面镀有反射膜，所述增益区、分布式布拉格反射光栅区、半导体光放大区和相位区对应的电极层之间设置有隔离沟。本发明可以实现混沌激光的波长调谐，输出稳定且工艺简单。
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公开(公告)号：CN117254346A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311306737.1
申请日：2023-10-10
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及混沌半导体激光器领域，公开了基于Y波导耦合的大功率混沌半导体激光器，包括第一DFB激光器、第二DFB激光器、Y波导、DBR光栅、锥形波导光放大器；其中，第一DFB激光器和第二DFB激光器的激光输出端分别与Y波导的第一分支和第二分支的一端连接，使得所述第一DFB激光器与第二DFB激光器的激射光波在Y波导的耦合点C处进行干涉耦合；Y波导的总线直波导与DBR光栅的激光输入端连接，锥形波导光放大器的较小端与DBR光栅透射光输出端对准，较大端用于输出宽带无时延的大功率混沌激光。本发明通过对耦合光进行分布式光反馈，并通过锥形波导光放大器进行光放大，输出了宽带且时延特征不明显的大功率混沌激光。
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公开(公告)号：CN114400501B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111456074.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于集成混沌半导体激光器领域，具体是一种基于分布式布拉格反射光栅的单片集成混沌半导体激光器，其结构包括依次设置的：第一分布式反馈激光器区、相位区、分布式布拉格反射光栅区、第二分布式反馈激光器区、半导体光放大区。利用左、右两个分布式反馈激光器互注入结合分布式布拉格反射光栅的分布式光反馈扰动两个过程，最终能够产生宽带无时延的混沌激光。本发明所述的混沌激光器芯片采用单片集成工艺，体积小、集成度高、性能稳定、实用性强。
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公开(公告)号：CN118896706A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410945739.3
申请日：2024-07-15
Applicant: 太原理工大学
IPC: G01K11/324
Abstract: 本发明涉及分布式光纤传感技术领域，公开了一种拉曼分布式光纤测温数据处理系统、测温系统及方法。数据处理系统中，小波去噪融合累加平均去噪模块的输入端与拉曼分布式光纤测温装置连接，输出端通过AXI4总线读写控制模块与DDR存储器连接；温度解调模块的输入端通过AXI4总线读写控制模块与DDR存储器连接，输出端通过温度阈值处理模块、数据传输接口模块与上位机连接；用户逻辑控制模块的输入端通过数据传输接口模块与上位机连接，输出端分别与温度阈值处理模块、温度解调模块、AXI4总线读写控制模块和小波去噪融合累加平均去噪模块连接；本发明可以节省系统带宽，提高了数据处理的实时性。
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公开(公告)号：CN114284861B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111413421.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子领域，公开了一种基于互注入联合分布式光栅反馈的光子集成混沌激光器，包括设置在同一衬底上，并从左至右依次设置的左分布式布拉格光栅区、左分布式反馈激光器区、半导体光放大区、右分布式反馈激光器区、右分布式布拉格光栅区；所述激光器芯片的电极层上设置有隔离沟，所述隔离沟将所述电极层隔离成与所述五个区分别对应的五个电极；所述激光器芯片的上限制层上与所述左分布式布拉格光栅区和右分布式布拉格光栅区对应的位置刻蚀有布拉格光栅；所述激光器芯片的上限制层上与所述左分布式反馈激光器区和右分布式反馈激光器区对应的位置刻蚀有/波长相移光栅。本发明可以实现宽带且频谱平坦、无时延特征的混沌激光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284861A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111413421.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子领域，公开了一种基于互注入联合分布式光栅反馈的光子集成混沌激光器，包括设置在同一衬底上，并从左至右依次设置的左分布式布拉格光栅区、左分布式反馈激光器区、半导体光放大区、右分布式反馈激光器区、右分布式布拉格光栅区；所述激光器芯片的电极层上设置有隔离沟，所述隔离沟将所述电极层隔离成与所述五个区分别对应的五个电极；所述激光器芯片的上限制层上与所述左分布式布拉格光栅区和右分布式布拉格光栅区对应的位置刻蚀有布拉格光栅；所述激光器芯片的上限制层上与所述左分布式反馈激光器区和右分布式反馈激光器区对应的位置刻蚀有/波长相移光栅。本发明可以实现宽带且频谱平坦、无时延特征的混沌激光输出。
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公开(公告)号：CN117977374A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410149557.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子领域，特别是一种基于隧穿晶体管的宽带无时延混沌激光器。包括隧穿晶体管激光器、电压源和电流源，隧穿晶体管激光器的集电结为隧道结；所述电流源与隧穿晶体管激光器的基极连接，用于调节隧穿晶体管激光器的驱动电流，所述电压源的正负两端分别与隧穿晶体管激光器的集电极和基极连接，用于实现隧穿晶体管激光器基极‑集电极电压反偏，还用于调节集电极电压进而实现线宽增强因子的调控，隧穿晶体管激光器的发射极接地。本发明易于集成，且可以产生带宽宽、平坦度较好、复杂度更高的混沌激光信号。
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公开(公告)号：CN115642476A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211346159.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
IPC: H01S5/062 , H01S5/0683
Abstract: 本发明涉及半导体光电子领域，公开了一种基于晶体管激光器光反馈结构的宽带混沌激光产生装置，包括：晶体管激光器、光环行器、光纤耦合器、衰减控制器、偏振控制器。其中晶体管激光器包括：发射极电极、发射区材料层、上限制层、量子阱材料层、电流限制层、基极电极、基区材料层、基区缓冲层、集电区材料层、集电极电极。本发明克服现有基于二极管激光器光反馈结构的产生的混沌激光频谱带宽窄的问题，采用三端口结构的晶体管激光器代替二极管激光器产生混沌激光，并且结构简单，稳定性高并且成本低廉。本发明适用于混沌同步与保密光通信、高速随机数密钥生成、激光雷达、光纤网络故障检测、超宽带技术以及分布式光纤传感等领域。
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公开(公告)号：CN115579732A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211347521.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
IPC: H01S5/062
Abstract: 本发明涉及半导体光电子领域，为了解决了现有半导体二极管激光器，频谱带宽有限且扰动系统复杂的问题，提供了一种基于晶体管激光器集电极电流反馈结构的混沌激光产生装置，包含晶体管激光器、加法器、电流源、电压源、光输出端口。晶体管激光器的基极电极与加法器的输出端口相连，发射极电极与电压源的负极和电流源的输入端相连，集电极电极与电压源的正极和加法器的第一输入端相连，加法器的第二输入端与电流源的输出端相连，本发明可以产生标准带宽为50GHz，平坦度优于3dB的混沌激光信号，可以应用于混沌同步与保密光通信、高速随机数密钥生成、激光雷达、光纤网络故障检测、超宽带技术以及分布式光纤传感等领域。
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公开(公告)号：CN114400501A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111456074.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于集成混沌半导体激光器领域，具体是一种基于分布式布拉格反射光栅的单片集成混沌半导体激光器，其结构包括依次设置的：第一分布式反馈激光器区、相位区、分布式布拉格反射光栅区、第二分布式反馈激光器区、半导体光放大区。利用左、右两个分布式反馈激光器互注入结合分布式布拉格反射光栅的分布式光反馈扰动两个过程，最终能够产生宽带无时延的混沌激光。本发明所述的混沌激光器芯片采用单片集成工艺，体积小、集成度高、性能稳定、实用性强。
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