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公开(公告)号：CN109540285A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811209870.4
申请日：2018-10-17
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了基于基片集成波导天线的新型外差探测器，包括基片集成波导天线和三推振荡器，所述基片集成波导天线和三推振荡器相连接，其中：基片集成波导天线，用于接收外部空间中的太赫兹波信号，然后传输给三推振荡器；三推振荡器，既作为本振信号源，又作为混频器，用于产生本振信号，并且接收所述基片集成波导天线发来的太赫兹波信号，然后将本振信号与太赫兹波信号进行混频，从而产生需要探测的中频信号。本发明公开的基于基片集成波导天线的新型外差探测器，其结构相对简单，科学合理，可以增加探测器的输出响应度，减少噪声等效功率，充分满足对太赫兹波的探测需求，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN109449222A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811094805.1
申请日：2018-09-19
Applicant: 天津大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/119
Abstract: 一种硅基光栅化源极太赫兹探测器，包括有MOS管，所述MOS管包括有由下至上依次设置的衬底层、沟道层和绝缘层，所述的衬底层一端的上端面设置有嵌入在所述沟道层和绝缘层内的漏极，所述的绝缘层上与所述漏极相邻的设置有栅极，所述栅极远离漏极的一侧设置有等间隔排布的光栅结构的源极，所述光栅结构的源极中的每一条源极均嵌入在所述沟道层和绝缘层内，且底端与所述衬底层相连接。本发明能够有效的将空间中的太赫兹信号耦合至晶体管源极，并在晶体管中产生太赫兹频段的交流电信号，利用晶体管的检波特性将太赫兹信号转化为直流电信号并通过漏极进行输出，从而实现太赫兹信号探测。本发明能够提高耦合效率、降低损耗。
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公开(公告)号：CN112583371A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910945765.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 天津大学青岛海洋技术研究院
Abstract: 一种基于LC谐振负载的宽频带共源共栅极低噪声放大器，包含三级共源共栅极低噪声放大器、三项LC谐振结构、输入和输出匹配结构、相同偏置结构，该放大器利用共源共栅极放大器高增益高阻抗的特点，实现良好的输出匹配，提高放大器增益；负载采用LC谐振结构，在工作频率提升负载阻抗，进一步提高放大器增益；同时采用不同谐振频率的LC谐振结构，扩宽放大器带宽。最终实现高增益宽频带的低噪声射频放大器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112583361A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910945764.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 天津大学青岛海洋技术研究院
Abstract: 一种基于噪声消除的高增益宽频带低噪声放大器，由两部分构成，第一部分为放大器的第一级，是采用噪声消除技术的共源极放大器，其中包含三个NMOS晶体管，一个反馈电阻，一个负载电阻，一个隔直电容，输入匹配结构和输出匹配结构；第二部分为两级级联的共源共栅级放大器，该放大器的采用共源共栅极低噪声放大器，该结构由共源极连接的NMOS晶体管Q4和共栅极连接的NMOS晶体管Q5、负载、输入输出匹配结构构成；利用共源极放大器和噪声消除技术低噪声的特点，实现放大器的低噪声指标；利用共源共栅极放大器高增益高阻抗的特性，实现高增益的低噪声射频放大器；在级间利用LC谐振网络的不同谐振频率，实现宽频带低噪声射频放大器。
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公开(公告)号：CN109556711B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201811212179.1
申请日：2018-10-18
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开一种基于并联对管结构的场效应晶体管太赫兹探测器，包括：用来接收太赫兹波信号的差分天线，用于探测该差分天线接收的太赫兹波信号并整流成较微弱的直流信号并成倍叠加后读出的晶体管；所述晶体管包括四个晶体管，每两个所述晶体管并联；所述差分天线的两个馈电处与每两个并联的晶体管的源极之间分别设置一个T形阻抗匹配网络，以使天线馈电处的输入阻抗与晶体管的源极输入阻抗匹配，以实现差分天线到晶体管之间的功率最大化传输。本发明能对太赫兹波信号有更高响应，以增大探测响应度。
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公开(公告)号：CN109556711A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811212179.1
申请日：2018-10-18
Applicant: 天津大学
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/4473 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q21/0006
Abstract: 本发明公开一种基于并联对管结构的场效应晶体管太赫兹探测器，包括：用来接收太赫兹波信号的差分天线，用于探测该差分天线接收的太赫兹波信号并整流成较微弱的直流信号并成倍叠加后读出的晶体管；所述晶体管包括四个晶体管，每两个所述晶体管并联；所述差分天线的两个馈电处与每两个并联的晶体管的源极之间分别设置一个T形阻抗匹配网络，以使天线馈电处的输入阻抗与晶体管的源极输入阻抗匹配，以实现差分天线到晶体管之间的功率最大化传输。本发明能对太赫兹波信号有更高响应，以增大探测响应度。
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公开(公告)号：CN109540286A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811212190.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开一种基于非对称沟道的场效应晶体管太赫兹波探测器，包括：用来接收太赫兹波信号的贴片天线，用于探测该贴片天线接收的太赫兹波信号并整流成较微弱的直流信号读出的非对称沟道的N型-金属-氧化物-半导体场效应晶体管；所述贴片天线及晶体管组之间设置有由三根传输线组成T形阻抗匹配网络，以使天线馈电处的输入阻抗与N型-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的源极输入阻抗匹配，以实现贴片天线到N型-金属-氧化物-半导体场效应晶体管之间的功率最大化传输。本发明能对太赫兹波信号有更高响应，以增大探测响应度。
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公开(公告)号：CN109378354A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811094092.9
申请日：2018-09-19
Applicant: 天津大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0232
Abstract: 一种硅基光栅化栅极太赫兹探测器，由MOS管构成，所述MOS管包括有衬底层，所述衬底层上端面的一端设置有源极，另一端设置有漏极，所述衬底层上端面位于所述源极和漏极之间由下至上依次设置有沟道层和绝缘层，所述源极和漏极与所述的沟道层和绝缘层相连，所述的绝缘层的上端面等间隔的设置有光栅结构的栅极。本发明的一种硅基光栅化栅极太赫兹探测器，利用光栅结构耦合空间中的太赫兹信号，并利用光栅结构的空隙对太赫兹信号进行衍射，从而达到增加局部太赫兹场强的效果。将NMOS/PMOS的栅极制备成光栅结构，能够有效的将空间中的太赫兹信号耦合至晶体管沟道，并在沟道中激发等离子体振荡，从而改变源漏之间的电流大小，实现太赫兹信号探测。
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