空穴迁移材料
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1221498A

    公开(公告)日:1999-06-30

    申请号:CN97195222.1

    申请日:1997-06-06

    CPC classification number: C08G77/60 G03G5/078

    Abstract: 一种空穴迁移材料具有下式(1)或式(2)所代表的结构,并在成膜性和空穴迁移性方面是优异的。式(1)中R1是氢原子和烷基,R1可以是相同的或者其中至少两个可能彼此是不同的,n在10—20000之间。式(2)中R1是氢原子和烷基,R2和R3是氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基、和硅烷基,R1、R2和R3可以是相同的,或者其中至少两个是彼此不同的,1是一个正数,m是零或是一个正数,1+m=10—20000之间。

    聚硅烷及其制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1098880C

    公开(公告)日:2003-01-15

    申请号:CN98801634.6

    申请日:1998-01-07

    CPC classification number: C08G77/60 C08G63/6954 C08G64/085

    Abstract: 一种用通式(1)所表示的聚硅烷(式中,R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基,R可分别为相同或2个以上不同,羟基的位置为对位或间位,n为2-10000)。这种聚硅烷可作重要的改性聚碳酸酯等的工程塑料原料、抗蚀剂材料、电子摄象感光材料等。

    聚硅烷及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1242783A

    公开(公告)日:2000-01-26

    申请号:CN98801634.6

    申请日:1998-01-07

    CPC classification number: C08G77/60 C08G63/6954 C08G64/085

    Abstract: 一种用通式(1)所表示的聚硅烷(式中,R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基,R可分别为相同或2个以上不同,羟基的位置为对位或间位,n为2—10000)。这种聚硅烷可作重要的改性聚碳酸酯等的工程塑料原料、抗蚀剂材料、电子摄象感光材料等。

Patent Agency Ranking