公开(公告)号：CN116507651A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180075922.7

申请日：2021-11-24

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 野原明日香 ,  半田晋也 ,  太田大助 ,  难波义典 ,  山内昭佳 ,  星谷尚亨 ,  野口刚

IPC: C08F236/20

Abstract: 本发明提供一种含氟聚合物，其含有四氟乙烯单元(1)和来自通式(2)：CF2＝CF(CF2)nCF＝CF2(式中，n表示2～10的整数)所示的全氟二烯的单体单元(2)，四氟乙烯单元(1)的含量相对于构成含氟聚合物的全部单体单元为98.0摩尔％～99.999摩尔％以上，单体单元(2)的含量相对于构成含氟聚合物的全部单体单元为0.001摩尔％～2.0摩尔％。

公开(公告)号：CN118922475A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029375.8

申请日：2023-04-05

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 野原明日香 ,  小西智久 ,  太田大助

IPC: C08J3/00 ,  C08L27/12 ,  C08L27/18

Abstract: 本发明提供一种组合物，其为含有全氟弹性体和聚四氟乙烯的组合物，上述聚四氟乙烯的熔融粘度为1.0×103～7.0×106泊，上述聚四氟乙烯的熔点为322℃以上，所述组合物通过将上述全氟弹性体与上述聚四氟乙烯共沉析而得到。

公开(公告)号：CN222513718U

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202420064910.5

申请日：2024-01-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 平野诚一 ,  太田大助 ,  野原明日香

IPC: F16J15/06

Abstract: 本实用新型涉及一种密封构件及半导体制造装置，密封构件(1)用于半导体制造装置且呈环状，其特征在于，具备从所述密封构件的正面、背面及侧面的至少任一方向目视可见的标记(2)。根据密封构件(1)，在将密封构件(1)安装于半导体制造装置时，能够以标记(2)为基准进行安装，例如，能够避开容易施加应力的安装位置(11a)地配置因密封构件(1)的制造方法而产生的强度弱的部分(2)。