公开(公告)号：CN109689746B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201780055851.8

申请日：2017-09-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 硲武史 ,  小松信之 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  樋口达也 ,  古贺景子

IPC: C08J5/18 ,  H01B3/44 ,  H01G4/18 ,  H01L41/193

Abstract: 提供一种相对介电常数、体积电阻率和绝缘击穿强度均高的膜。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上，30℃下的体积电阻率为5E+15Ω·cm以上，绝缘击穿强度为500V/μm以上。

公开(公告)号：CN109689746A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055851.8

申请日：2017-09-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 硲武史 ,  小松信之 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  樋口达也 ,  古贺景子

IPC: C08J5/18 ,  H01B3/44 ,  H01G4/18 ,  H01L41/193

CPC classification number: C08J5/18 ,  H01B3/44 ,  H01G4/18 ,  H01L41/193

Abstract: 提供一种相对介电常数、体积电阻率和绝缘击穿强度均高的膜。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上，30℃下的体积电阻率为5E+15Ω·cm以上，绝缘击穿强度为500V/μm以上。