公开(公告)号：CN119059575A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411327861.0

申请日：2024-09-24

Applicant: 大连理工大学盘锦产业技术研究院

Inventor： 米盼盼 ,  张寅峰 ,  郭明钢 ,  代岩 ,  杨晓航 ,  何钦政 ,  王娇 ,  乔利珍 ,  刘晓晖

IPC: C01G51/04

Abstract: 一种可脱汞的中空四氧化三钴及其制备方法，属于材料制备技术领域。将钴盐和尿素溶解到去离子水和异丙醇的混合溶液中，加入丙三醇，放入水热釜中，在150℃‑180℃下反应6‑18h得到钴基氢氧化物前驱体。将钴基氢氧化物前驱体与维生素C混合放入管式炉中，在空气氛围下以10～20℃/min的升温速率升至350～450℃，反应3～5h，得到颗粒组装的一维中空四氧化三钴。本发明的制备方法简单，无需特殊的手段去除模板剂；所制备的Co3O4为中空结构，有利于气体、溶液等的传输；纳米颗粒组装结构以及氧空穴的存在，可以暴露了更多的活性位点。