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公开(公告)号：CN112080662A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010962966.9
申请日：2020-09-14
Abstract: 本发明提供一种电磁搅拌耦合电子束层凝浇铸技术制备高均质镍基高温合金的方法。本发明方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、电子束精炼；S3、合金层凝浇铸，得到精炼后的718合金。本发明耦合了电子束层凝浇铸技术和电磁搅拌技术，实现了镍基高温合金的高均质制备，电子束精炼技术与电磁搅拌技术相结合，缩短了镍基高温合金铸锭的生产周期，进一步提高了铸锭的纯净度及冶金质量，合金的制备得率由传统的60％提高至85％以上。
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公开(公告)号：CN104445903B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410691688.2
申请日：2014-11-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C03B33/037
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种电子束熔炼多晶硅粉体与定向凝固结合的装置及利用该装置进行多晶硅熔炼的方法，属于电子束熔炼领域。本发明提供一种可在熔炼的过程中进行补料的电子束熔炼多晶硅粉体的装置，主要在于提供了加料装置，该加料装置结构紧凑，不会影响熔炼设备整体体积，并使整个熔炼过程具有可持续性。该装置同时配有拉锭系统，可以实现在多晶硅电子束熔炼去除杂质磷元素的同时，进行定向凝固提纯技术，可以利用一个设备同时去除磷杂质和金属杂质，减少了多设备的使用，减少了多设备使用时不必要的抽真空时间的浪费，以及多设备使用时中间环节硅料的损失和二次污染。
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公开(公告)号：CN104528733B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410829852.1
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种用于铸锭分离高金属杂质区的设备及其方法，通过在铸锭设备坩埚顶部预留出一定的区域，该区域不喷覆Si3N4涂层，控制硅锭的生长方式和速率，使硅锭生长至为涂覆Si3N4涂层的区域时，通过充入一定量的氩气，使硅锭顶部高金属杂质区反向凝固，在定向凝固与反向凝固的界面处会形成裂纹，极易脱离开，并且反向凝固的区域由于未喷覆Si3N4涂层，硅锭与石英坩埚发生粘连，在取出硅锭后，破碎外表面石英坩埚的同时，可将硅锭中高金属杂质的区域一并去除。去除方法简单易行，且节省一定的Si3N4用量，硅锭利用率或实际良率为88％～91％。
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公开(公告)号：CN104451184A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410632028.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: C22B9/22 , C30B28/06 , C30B29/06 , C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种复合坩埚，特别涉及一种提高电子束熔炼技术能量利用率的复合坩埚。一种复合坩埚，所述坩埚包括坩埚本体，所述坩埚本体为空腔结构，内部为用于冷却液体流通的腔体；所述坩埚本体的上表面为凹槽结构，用于承装物料；所述坩埚本体由双层材料构成，其中外层为石墨，内层为铜。本发明提高了石墨层的使用寿命至少30％。
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公开(公告)号：CN103420378B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310337930.1
申请日：2013-08-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种造渣剂及其在多晶硅介质熔炼提纯中的使用方法。该造渣剂，按重量百分比，由以下原料混合而成：Na2SiO330%～60%、SiO220%～50%、TiO21%～15%和Al2O31%～5%。在多晶硅介质熔炼提纯中加入本发明的造渣剂，将硼在渣剂和硅液中的分配系数LB数值从2～4有效提高了1～2，提高除硼效果，硅料的硼含量降低至0.20ppmw以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104357799A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410631828.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明涉及一种双e型电子枪的蒸镀装置及利用该装置进行蒸镀方法，属于电子蒸镀领域。一种双e型电子枪的蒸镀装置，所述装置包括蒸镀室，蒸镀室内设有两个双e型电子枪，e型电子枪I用于加热基板，e型电子枪II用于轰击镀膜材料。该装置设备简单、操作简单，能够提高膜层与基体之间的粘合力；可以实现单一膜层与基体之间的高粘合力，而不必进行多层镀膜提高性能膜层与基体之间的粘合力。
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公开(公告)号：CN104178810A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410441314.5
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: C30B29/06 , C30B28/06 , C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种电子束熔炼装置及利用该装置制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。所述装置包括熔炼室，所述熔炼室内设有无底的水冷铜坩埚，所述水冷铜坩埚底部内部尺寸与位于其下方的定向凝固拉锭装置的水冷铜拉锭底座的尺寸相配合，使得水冷铜拉锭底座与无底的水冷铜坩埚形成一个完整的水冷铜坩埚；水冷铜拉锭底座底部固定拉锭杆，拉锭杆与电机相连；所述水冷铜坩埚的上方设有加料装置，所述加料装置的出料口设有用于控制加料口开启的阀门。利用本发明提供的装置和工艺可实现硼母合金的连续化生产，可保证生产室内持续高真空，避免了开关仓门时抽真空和放气需要的等待时间以及不必要的能源浪费，提高生产效率，降低能耗。
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公开(公告)号：CN103981380A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410236317.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种钴基高温合金的制备方法，属于合金制备领域。一种钴基高温合金的制备方法，为电子束熔炼法，将起到合金化作用的金属原料置于电子束熔炼炉的加料装置中；将其他金属原料置于电子束熔炼炉的水冷铜坩埚中。合金原料置于水冷铜坩埚中，利用电子束熔炼技术进行熔炼。与常规真空感应熔炼不同，金属熔体由于直接与水冷铜接触，在电子束熔炼过程中不会引入其它杂质。
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公开(公告)号：CN103420378A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310337930.1
申请日：2013-08-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种造渣剂及其在多晶硅介质熔炼提纯中的使用方法。该造渣剂，按重量百分比，由以下原料混合而成：Na2SiO330%～60%、SiO220%～50%、TiO21%～15%和Al2O31%～5%。在多晶硅介质熔炼提纯中加入本发明的造渣剂，将硼在渣剂和硅液中的分配系数LB数值从2～4有效提高了1～2，提高除硼效果，硅料的硼含量降低至0.20ppmw以下。
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公开(公告)号：CN111961897B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010963709.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种真空感应熔炼‑浇铸‑电子束精炼工艺制备高纯镍基高温合金的方法。本发明方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、装炉；S3、真空感应熔炼；S4、电子束精炼，得到精炼后的合金。本发明采用真空感应熔炼方法制备高温合金母合金，再使用电子束精炼进一步提纯高温合金，降低偏析程度，充分利用感应熔炼和电子束精炼的优势提高高温合金铸锭的冶金质量，最终实现合金的高纯净制备。
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