公开(公告)号：CN110116987A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910440024.1

申请日：2019-05-24

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄辉 ,  赵丹娜 ,  陈顺姬 ,  李志瑞

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于半导体纳米线器件技术领域，提供了一种半导体纳米线传感器，在具有导电层的绝缘衬底上制备具有特定深宽比的凹槽结构，使凹槽两侧的导电层相互隔绝；然后在凹槽底部设置表面改性层，覆盖凹槽底部；接着在导电层侧壁生长纳米线，使纳米线桥接凹槽两侧的导电层，同时该生长过程也会在凹槽内产生沉积物。通过设计凹槽的深宽比以及引入表面改性层，可以减少或消除凹槽底部的沉积物，从而消除桥接纳米线的旁路电流。此外，利用桥接纳米线的多次生长，可以提高纳米线的桥接几率、总表面积以及生长可控程度。本发明解决了现有桥接纳米线生长过程中凹槽内的沉积物问题，提高了纳米线传感器的电学特性。

公开(公告)号：CN103337512A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310161084.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 大连理工大学 ,  北京三星通信技术研究有限公司

Inventor： 黄辉 ,  黄贤良 ,  金智渊 ,  刘蓬勃 ,  任明坤 ,  刘学宇 ,  吴海波 ,  赵丹娜

IPC: H01L29/06 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种具有环形圈包层结构的纳米线晶体管，属于新材料、电子器件和半导体技术领域。其特征是通过控制纳米线“芯—包层”结构的生长条件，在纳米线侧壁特定部位形成环形圈包层结构，从而实现在纳米线轴向上集成多个晶体管。环形圈的位置可以通过“芯”与“包层”之间的晶格应力来控制；环形圈包层可作为场效应晶体管的环形栅极；环形圈凸起的形貌，使其相对于均匀包层更易于光学辨别，还可作为制备电极时的标记。本发明的效果和益处是：通过控制纳米线生长条件，在侧壁形成环形圈包层结构，实现晶体管在纳米线轴向上的集成。

公开(公告)号：CN111157762B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010020712.5

申请日：2020-01-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄辉 ,  蔡伟成 ,  李志瑞 ,  赵剑 ,  刘蓬勃 ,  王岩 ,  赵丹娜

IPC: G01P15/12 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度纳米线加速度传感器，桥接纳米线构成U型环路，其中一端的电极区域为悬空状态；桥接纳米线构成交叉结构，并在桥接纳米线中部附着质量块。本发明的传感器具有微型化、可集成、高灵敏度的特点。

公开(公告)号：CN111157762A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010020712.5

申请日：2020-01-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄辉 ,  蔡伟成 ,  李志瑞 ,  赵剑 ,  刘蓬勃 ,  王岩 ,  赵丹娜

IPC: G01P15/12 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度纳米线加速度传感器，桥接纳米线构成U型环路，其中一端的电极区域为悬空状态；桥接纳米线构成交叉结构，并在桥接纳米线中部附着质量块。本发明的传感器具有微型化、可集成、高灵敏度的特点。