一种硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法

    公开(公告)号:CN100506483C

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200610047695.4

    申请日:2006-09-05

    Abstract: 本发明一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法,属于硬脆晶体薄基片超精密加工领域。粘片方法是分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结,采用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片下表面粘结在第一块载物台上后,对硬脆晶体薄基片上表面研磨抛光达到要求后,不卸片;再用耐高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上,加热第一块载物台后,把硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离,对硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨抛光加工,达到质量要求。本发明可有效减小硬脆晶体薄基片研磨抛光加工后的翘曲变形,使其面形精度得到很大的提高。

    一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液

    公开(公告)号:CN101760138A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN201010010121.6

    申请日:2010-01-12

    Abstract: 本发明一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液,属于化学机械抛光用的抛光液,特别涉及化学机械抛光单晶氧化镁用抛光液领域。抛光液的pH值为1.5~7.0。抛光液的组成成分按重量百分比如下:磨料0.5~30%;抑制剂0.0001~1%;络合剂0.001~10%;余量为去离子水。抛光液的磨料粒径为10~500nm,选自SiO2、ZrO2、Al2O3、TiO2、MgO或CeO2水溶胶。抛光液的络合剂选自含有磷氧双键的有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐。抛光液的抑制剂选自含有五元环的化合物。本发明抛光液材料去除率高,抛光样品表面粗糙度低,表面无划痕和凹坑等缺陷;抛光液的配制简便,成本低。

    一种硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法

    公开(公告)号:CN1927540A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610047695.4

    申请日:2006-09-05

    Abstract: 本发明一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法,属于硬脆晶体薄基片超精密加工领域。粘片方法是分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结,采用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片下表面粘结在第一块载物台上后,对硬脆晶体薄基片上表面研磨抛光达到要求后,不卸片;再用耐高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上,加热第一块载物台后,把硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离,对硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨抛光加工,达到质量要求。本发明可有效减小硬脆晶体薄基片研磨抛光加工后的翘曲变形,使其面形精度得到很大的提高。

    基于Fluent UDF的一种数值波浪水槽造波方法

    公开(公告)号:CN111241756A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010018067.3

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 本发明属于波浪数值水槽技术领域,提供了一种基于Fluent UDF的一种数值波浪水槽造波方法。本方法采用边界元方法建立的推板式造波机模型的基本思路,建立了一个新的造波函数及波浪消波算法,在基于Navier-stokes方程的FLUENT软件二次开发中,造波板边界采用FLUENT的动网格技术,只建立速度边界条件,压力和速度项不耦合,这样稳定性更高。同样道理,在造波板和波浪数值水槽远端添加波浪阻尼层,只吸收速度项。研究中应用VOF法来追踪波浪的自由表面运动。应用该波浪数值水槽造波方法可以研究复杂的非线性波浪与结构物相互作用问题。

    浮标减震系统水动力计算方法

    公开(公告)号:CN111222292A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010017954.9

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 本发明属于水中构筑物波浪水动力计算技术领域,公开了一种浮标减震系统水动力计算方法。本方法将边界元方法以及多浮体水动力分析应用到锚泊浮标的水动力性能研究中,提出了在浮标下方通过弹簧连接一个减震体的结构,在有限水深条件下,依据波浪的辐射和绕射理论,建立了能够求解出任何复杂结构运动响应方程的边界元数学模型,进而分析该结构透反射系数、受到的波浪力及运动响应等内容。

    一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液

    公开(公告)号:CN1884410A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200610047159.4

    申请日:2006-07-05

    Abstract: 本发明一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液,属于化学机械抛光用的抛光液,特别涉及化学机械抛光单晶氧化镁用抛光液领域。这种抛光液是一种水溶胶,其pH值为2~4。抛光液的组成成分含有磨料、反应剂和去离子水;磨料的重量百分比为10~40%;反应剂的重量百分比为0.5~ 5%;其余重量为去离子水。抛光液的磨料粒径为10~100nm,选自SiO2、ZrO等。抛光液中反应剂选自磷酸或磷酸盐。本发明抛光去除率高,表面无划痕和腐蚀坑等缺陷,抛光样品表面质量好;抛光液的配制简便,成本低;抛光废液处理方便,对环境无污染。

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