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公开(公告)号：CN118345461A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410556121.8
申请日：2024-05-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D1/04
Abstract: 本发明公开了一种气胀圈式阴极辊幅宽控制装置及控制方法，所述控制装置包括阴极辊、放气管道、气胀圈、高压进气管道、绝缘薄膜、气阀和压板，所述绝缘薄膜呈环状包裹在阴极辊外圆面的两端；所述放气管道放置于绝缘薄膜与阴极辊之间；所述气胀圈安装在绝缘薄膜外侧。本发明通过气胀圈与绝缘薄膜之间的压力配合，通过调整气胀圈位置与绝缘薄膜的宽度能实现任意幅宽的铜箔制备，且整体结构体积小可以在狭窄电解槽范围内实现阴极辊两端绝缘的效果。本发明在实现任意幅宽的铜箔制备过程中，仅仅需准备不同宽度的绝缘薄膜，成本低，且操作过程简单。本发明保证了后续铜箔沉积工艺的稳定性和均匀性，大幅减少了撕边等缺陷的可能性。
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