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公开(公告)号：CN104849957A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510209228.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 大连理工大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种制备带有纳米尺度通道的SU-8胶电液动力射流喷针的热压印-紫外曝光制造方法,采用两次PDMS浇注和氧等离子体处理方法，制造出镶嵌掩膜胶片的微纳复合尺度PDMS模具。然后在硅片上光刻出BP212牺牲层，蒸镀一层Al作为掩蔽层，并旋涂SU-8胶。利用微纳复合尺度PDMS模具，采用热压印和正向紫外曝光方法制造出带有纳米尺度沟道的SU-8胶喷针。键合后去除Al掩蔽层和BP212牺牲层，使SU-8胶喷针针尖前部悬空，形成前部悬空的带有纳米尺度通道的SU-8胶喷针。本发明制作工艺简单、成本低、工艺重复性好并且容易实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102897709B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210344720.0
申请日：2012-09-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微机电系统（MEMS）领域，涉及一种低成本微纳一体化结构的制作方法。其特征是利用侧墙工艺制作出纳米硅模具，再利用剥离工艺制作出微米石英模具，然后通过类似紫外纳米压印的方法，将紫外固化光刻胶旋涂在纳米硅模具上，将微米石英模具与光刻胶接触并施压力，经过曝光、显影后得到微纳一体化结构。最后，通过PDMS与光刻胶Si-O-Si共价键合对结构进行封装，进而实现了微纳一体化结构的制作。本发明采用侧墙工艺制作纳米模具，采用双模具通过紫外纳米压印方式制作微纳一体化结构，并利用共价键合实现结构封装，其制作工艺简单、成本低、工艺重复性好并且容易实现。
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公开(公告)号：CN104713546A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510110042.5
申请日：2015-03-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01C21/00
CPC classification number: G01C21/00
Abstract: 本发明属于光电系统领域，提供了一种高速二维运动轨迹非接触光电检测新方法。通过CMOS图像传感器不断捕捉基板的图像，经过数字信号处理器时频分析并提取特征值Δx和Δy，保存至寄存器，标记为位置1,等待读取并进行连续标记；USB控制芯片通过SPI总线与光电传感器进行通信,循环查询各位置的Δx值和Δy值,直到查询到位置1,读取位置1的Δx值和Δy值并传输给计算机，经过处理获取光电传感器的运动轨迹和坐标，针对光电传感器的运动轨迹和坐标进行后续的数据处理，最后得到光电传感器的位移和路程。本系统的位移精度为0.09525mm，极限测量速度为361.125mm/s，达到设计要求，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104280278A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410478461.X
申请日：2014-09-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征法，属于纳米结构表征领域。将未经氧等离子体处理的纳米沟道基板和盖板进行热压键合；将热压键合后的纳米沟道基板和盖板分离、冷冻并掰断，得到纳米沟道断面形貌完好的样品；对基板上纳米沟道和盖板形貌分别进行观测表征，得到纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度；根据得到的纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度；纳米沟道实际宽度等于纳米沟道的宽度，纳米沟道实际深度等于纳米沟道深度与盖板上纳米凸起高度的差值。本发明有效降低了热压键合后纳米通道断面制备难度。采用这种置换表征法制备的纳米通道断面形貌完整清晰，在扫描电镜下更加容易定位。
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公开(公告)号：CN102897709A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210344720.0
申请日：2012-09-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微机电系统（MEMS）领域，涉及一种低成本微纳一体化结构的制作方法。其特征是利用侧墙工艺制作出纳米硅模具，再利用剥离工艺制作出微米石英模具，然后通过类似紫外纳米压印的方法，将紫外固化光刻胶旋涂在纳米硅模具上，将微米石英模具与光刻胶接触并施压力，经过曝光、显影后得到微纳一体化结构。最后，通过PDMS与光刻胶Si-O-Si共价键合对结构进行封装，进而实现了微纳一体化结构的制作。本发明采用侧墙工艺制作纳米模具，采用双模具通过紫外纳米压印方式制作微纳一体化结构，并利用共价键合实现结构封装，其制作工艺简单、成本低、工艺重复性好并且容易实现。
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公开(公告)号：CN104849957B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510209228.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 大连理工大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种制备带有纳米尺度通道的SU‑8胶电液动力射流喷针的热压印‑紫外曝光制造方法,采用两次PDMS浇注和氧等离子体处理方法，制造出镶嵌掩膜胶片的微纳复合尺度PDMS模具。然后在硅片上光刻出BP212牺牲层，蒸镀一层Al作为掩蔽层，并旋涂SU‑8胶。利用微纳复合尺度PDMS模具，采用热压印和正向紫外曝光方法制造出带有纳米尺度沟道的SU‑8胶喷针。键合后去除Al掩蔽层和BP212牺牲层，使SU‑8胶喷针针尖前部悬空，形成前部悬空的带有纳米尺度通道的SU‑8胶喷针。本发明制作工艺简单、成本低、工艺重复性好并且容易实现。
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