公开(公告)号：CN1738001A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510046906.8

申请日：2005-07-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜国同 ,  胡礼中 ,  杨天鹏 ,  刘维峰

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统生长p型ZnO薄膜的工艺方法，其特征是，将掺杂源气体NO由掺杂源气路输入到射频等离子发生器，调节射频功率达到起辉，离化后再进入反应室；调节衬底片托盘旋转，生长温度为250～650℃，调节Zn源载气Ar气流量为1～10sccm，氧气流量为10～500sccm，通入反应室，进行ZnO薄膜生长；本发明的效果和益处是提供一种用适合工业化生产的MOCVD设备生长p型ZnO薄膜的工艺方法，克服p型ZnO制取困难的问题，进而可制备出电注入p－n结型ZnO光电器件。

公开(公告)号：CN100375253C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510046906.8

申请日：2005-07-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜国同 ,  胡礼中 ,  杨天鹏 ,  刘维峰

IPC: H01L21/365 ,  H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统生长p型ZnO薄膜的工艺方法，其特征是，将掺杂源气体NO由掺杂源气路输入到射频等离子发生器，调节射频功率达到起辉，离化后再进入反应室；调节衬底片托盘旋转，生长温度为250～650℃，调节Zn源载气Ar气流量为1～10sccm，氧气流量为10～500sccm，通入反应室，进行ZnO薄膜生长；本发明的效果和益处是提供一种用适合工业化生产的MOCVD设备生长p型ZnO薄膜的工艺方法，克服p型ZnO制取困难的问题，进而可制备出电注入p-n结型ZnO光电器件。

公开(公告)号：CN1716653A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510046648.3

申请日：2005-06-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜国同 ,  胡礼中 ,  秦福文 ,  刘维峰 ,  杨天鹏

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，本发明涉及一种ZnO－GaN复合衬底的GaN发光器件及其制备方法。其特征是器件由衬底、GaN缓冲层，n－GaN下限制层，InGaN多量子阱有源层，p－GaN上限制层，p－GaN盖层等部件构成，衬底由ZnO单晶基底和GaN上包覆层、抗腐蚀的下包覆层构成的复合衬底，在衬底和GaN缓冲层之间还生长一层ZnO剥离层和一层GaN抗分解层。本发明的效果和益处是可提高GaN系器件薄膜材料的质量，改善发光器件的特性，同时易于将器件薄膜材料与衬底分离，复合衬底可以重复使用，器件成本大大降低。