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公开(公告)号：CN112345615A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011213032.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/66 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的氢气传感器，在所述氮化镓基材料表面分别蒸镀源极、漏极和Pd/Pt层。本发明利用当氢气吸附在Pd/Pt层上分解为氢原子传递到界面处，氢原子在界面极化吸附以后所产生的电场将引起表面纵向电荷的变化，进而调制异质结界面处二维电子气浓度，改变源漏电极的输出电流，从而测试氢气的浓度。而且本发明具有操作简单，所制备的氢气传感器稳定性好和成本低等优势，所制备的氢气传感器质量好，能够保持良好的性能且该氢气传感器可以在较为宽松的湿度环境中进行测试，不会影响其输出。制备环境条件要求简单，可稳定制备。
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