公开(公告)号：CN118450771A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410478721.7

申请日：2024-04-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 于泽 ,  戴守业 ,  曹怀满 ,  陈庆铝 ,  丁倩

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50 ,  H10K30/88

Abstract: 一种表面钝化修饰钙钛矿太阳能电池的方法，其属于钙钛矿太阳能电池的技术领域。该方法是将合成的纯相二维钙钛矿晶体(OAI)2PbI4修饰材料溶解在乙腈溶液中，旋涂成膜在钙钛矿吸光层上。纯相二维钙钛矿晶体(OAI)2PbI4引入到钙钛矿层上后能够有效钝化铅位点缺陷，减少了电荷传输过程中的非辐射复合，提升器件光电性能。同时纯相二维钙钛矿晶体(OAI)2PbI4能够减缓外界环境对三维钙钛矿晶体的破坏。本方法能够有效的减少钙钛矿缺陷造成的电池效率损失，得到高效稳定的碳基钙钛矿太阳能电池。