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公开(公告)号：CN100411496C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510047271.3
申请日：2005-09-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电气工程技术领域，尤其涉及一种实现脉冲电源与等离子体负载间匹配的方法。本发明公开了一种运用电路理论、测量技术和仿真技术来设计脉冲电源与等离子体负载间匹配电路的方法。其特征是根据实验测得的脉冲电压下等离子体负载上的电压、电流波形和直流电压下等离子体负载上的电压与电流的关系，运用仿真技术来获得等离子体负载的等效参数，改变匹配电路的电路结构及其仿真参数，使等离子体负载上的脉冲电压(u2)与脉冲电源输出的脉冲电压(u1)之比(u2/u1)的频响特性，在脉冲电源输出的脉冲电压的有效频谱范围内，接近不失真系统的频响特性，由此来确定匹配电路的电路结构及其参数。本发明明显提高匹配电路的设计效率，节约成本。
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公开(公告)号：CN100385191C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410100460.8
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1265032C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200410021334.3
申请日：2004-03-02
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到晶体生长科学与技术，尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料，以冷坩埚为炉体，先焙烧菱镁矿石，经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合，放入冷坩埚炉体中，采用三相交流电熔法加热，控制升温、恒温和降温曲线，即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单，易于掌握，工艺稳定，是新一代高科技产品。
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公开(公告)号：CN1632435A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410100460.8
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN102307006B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110278599.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 戚栋
IPC: H02M1/36
Abstract: 一种高压电源启动电路，属于电子技术领域。其特征是BR1输入端分别与TA输出端x和J1的J1-2D引出端p相连，BR1输出端电压经C1、R3、VZ1、R4后，施加于U1输入端，U1输出端的集电极与U2同相输入端相连，并经R5与控制电源Vcc相连，U1输出端的发射极与Vcc的地相连，U2反相输入端经R7与Vcc的地相连，并经R6与触点J1-1D相连，触点J1-1与Vcc相连，VD2和VD3的阳极相连，并经R1与V1基极相连，Vcc经R8与VD2和VD3的阳极相连，VD2阴极与U2输出端相连，VD3阴极与高压电源控制单元输出控制信号的输出端Vcon相连。本发明的效果和益处是该启动电路，简单可靠、成本低，设计和制作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102307006A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110278599.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 戚栋
IPC: H02M1/36
Abstract: 一种高压电源启动电路，属于电子技术领域。其特征是BR1输入端分别与TA输出端x和J1的J1-2D引出端p相连，BR1输出端电压经C1、R3、VZ1、R4后，施加于U1输入端，U1输出端的集电极与U2同相输入端相连，并经R5与控制电源Vcc相连，U1输出端的发射极与Vcc的地相连，U2反相输入端经R7与Vcc的地相连，并经R6与触点J1-1D相连，触点J1-1与Vcc相连，VD2和VD3的阳极相连，并经R1与V1基极相连，Vcc经R8与VD2和VD3的阳极相连，VD2阴极与U2输出端相连，VD3阴极与高压电源控制单元输出控制信号的输出端Vcon相连。本发明的效果和益处是该启动电路，简单可靠、成本低，设计和制作方便。
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公开(公告)号：CN1780522A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510047271.3
申请日：2005-09-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电气工程技术领域，尤其涉及一种实现脉冲电源与等离子体负载间匹配的方法。本发明公开了一种运用电路理论、测量技术和仿真技术来设计脉冲电源与等离子体负载间匹配电路的方法。其特征是根据实验测得的脉冲电压下等离子体负载上的电压、电流波形和直流电压下等离子体负载上的电压与电流的关系，运用仿真技术来获得等离子体负载的等效参数，改变匹配电路的电路结构及其仿真参数，使等离子体负载上的脉冲电压(u2)与脉冲电源输出的脉冲电压(u1)之比(u2/u1)的频响特性，在脉冲电源输出的脉冲电压的有效频谱范围内，接近不失真系统的频响特性，由此来确定匹配电路的电路结构及其参数。本发明明显提高匹配电路的设计效率，节约成本。
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公开(公告)号：CN1777010A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510047423.X
申请日：2005-10-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电工技术领域，尤其涉及一种脉冲电源与容性负载间的匹配电路。它由电感、电容和电阻组成，经同轴电缆串接在脉冲电源的输出端与容性负载之间。其特征是包含一个由电容与电阻串联构成的阻—容支路，一个由电感构成的电感支路，电感支路与阻—容支路相并联，匹配电路中的电感、电容和电阻的参数，满足使容性负载上的脉冲电压(u2)与脉冲电源输出的脉冲电压(u1)之比(u2/u1)的频响特性，在脉冲电源输出的脉冲电压的有效频谱范围内，接近不失真系统的频响特性。本发明既能有效抑制容性负载上脉冲电压的振荡，又能避免容性负载上脉冲电压上升率的降低，提高脉冲电源的应用效果。
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公开(公告)号：CN1664176A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410100459.5
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1316071C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410100459.5
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。
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