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公开(公告)号：CN102407483A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110358534.8
申请日：2011-11-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种半导体晶圆高效纳米精度减薄方法，属于半导体晶圆超精密加工技术领域，特别涉及半导体晶圆的纳米精度减薄加工方法。其特征是采用平均直径小于1μm的金刚石作为磨料，采用多种陶瓷原料作为结合剂的一种高效纳米精度减薄方法。磨削液为去离子水，材料在粗减薄的去除率为9-30μm/min，精减薄的去除率为3-8μm/min。减薄时主轴转速为1800-5000r/min，工件转速为60-300r/min。适合的半导体的硬度值在25GPa以下，直径为18英寸以下的大直径半导体晶圆。本发明的效果和益处是实现了半导体晶圆的高效纳米精度减薄的加工效果。
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