公开(公告)号：CN116075205A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310052335.7

申请日：2023-02-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 江诚鸣 ,  孙唯斌 ,  谭东宸 ,  许振桐 ,  刘怡亨

IPC: H10N30/30 ,  H10N30/85 ,  H10N30/093 ,  H10N30/03 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N29/02

Abstract: 本发明涉及微质量传感器技术领域，特别是涉及一种基于压电转导策略的单层二硫化钼微质量生物传感器及其制备方法，用于对微小质量进行高精度测量。其组成包括硅衬底、二氧化硅薄膜、电触头、单层MoS2薄膜、信号发生器、电压表和电流表；二氧化硅薄膜位于硅衬底上表面，二氧化硅薄膜的中心设有圆孔作为谐振腔，单层MoS2薄膜覆盖在圆孔上；两个电触头与单层MoS2薄膜两端接触，作为源极与漏极；两个电触头通过导线相连，且二者之间设有电压表和电流表；信号发生器一端接地，另一端接硅衬底作为驱动电极。

公开(公告)号：CN115950562A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310052327.2

申请日：2023-02-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 江诚鸣 ,  刘怡亨 ,  谭东宸 ,  许振桐 ,  孙唯斌

IPC: G01L1/18

Abstract: 本发明属于纳米级神经形态触觉传感器技术领域，涉及一种具有高分辨率和纳米级像素压力压电记忆系统及制备方法。本发明通过集成基于压电纳米线阵列和电阻忆阻器的智能压电记忆像素阵列，实现了模拟人类神经形态触觉行为的压力压电记忆系统，将压电记忆像素阵列与压电纳米线和电阻记忆电阻元件串联，来完成压电记忆像素阵列的组成，使得压力压电记忆系统正常运行。

公开(公告)号：CN115931983A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310052331.9

申请日：2023-02-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 江诚鸣 ,  许振桐 ,  谭东宸 ,  孙唯斌 ,  刘怡亨

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明属于纳米机电系统领域，涉及一种单层碳化钛Mxene的亚介克分子传感芯片，通过检测微小信号，实现高阶谐振模式下的强压电信号输出，并通过计算芯片进行转换，可在外接显示屏上显示，实现亚介克级别的小分子检测，为超高精度的低噪声信号测量提供了解决方案。