公开(公告)号：CN108321000A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810337488.5

申请日：2018-04-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  卢刚 ,  段雄英 ,  张豪 ,  张晓莉 ,  黄智慧 ,  邹积岩

IPC: H01H33/664 ,  H01H33/662 ,  C04B35/10 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明属于高压真空开关领域，涉及一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室，真空灭弧室包括上端盖、静触头、BST陶瓷壳、屏蔽罩、动触头、波纹管屏蔽罩、波纹管和下端盖。所述的BST陶瓷壳为柱状中空结构，上端盖和下端盖分别与BST陶瓷壳上下两端密闭连接，构成真空密闭空间；所述的屏蔽罩置于BST陶瓷壳内，静触头与上端盖的下端面连接；动触头的下端轴穿透下端盖，其下端轴上套有与下端盖连接的波纹管。本发明基于这种自均压式真空灭弧室构成的多断口真空断路器，可以在无均压电容的条件下，实现各个断口之间电压均匀分布，提高了多断口真空断路器的开断能力。这种自均压式多断口真空断路器用真空灭弧室结构简单，便于实现。

公开(公告)号：CN106771485A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611168106.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  葛国伟 ,  段雄英 ,  黄智慧 ,  卢刚 ,  邹积岩

IPC: G01R19/00 ,  G01R31/327

CPC classification number: G01R19/0092 ,  G01R31/327

Abstract: 本发明公开一种无地干扰、高精度的基于电流转移特性和磁吹的弧后电流测量装置，设有真空开关，与真空开关的进线端或出线端串联有主电流传感器，在真空开关的进线端与出线端之间接有与真空开关触头串联的真空开关电流传感器，与相串联的真空开关触头及真空开关电流传感器并联有保护间隙及相串联的转移电阻和转移电阻电流传感器，在真空灭弧室内固定有脉冲横向磁场线圈，主电流传感器、真空开关电流传感器及转移电阻电流传感器的输出均与主控制器相接，与主控制器的输入端还相接有被测断路器状态检测单元，所述主控制器的输出与真空开关驱动机构及脉冲横向磁场线圈控制单元相接。

公开(公告)号：CN118611650A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410881568.2

申请日：2024-07-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  卢刚 ,  段雄英 ,  向文俊 ,  张鸣 ,  卜亮

IPC: H03K17/78 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明属于高压大功率脉冲功率开关技术领域，涉及一种激光触发串联电触发型双间隙真空开关。所述的真空开关包括激光触发真空间隙、电触发真空间隙、激光触发系统和脉冲电压耦合系统。电触发真空间隙的触发脉冲源由电阻耦合部分激光触发间隙导通后产生的脉冲电压提供，从而解决平板电极在脉冲电压下导通时间长的问题。该开关在提高耐压等级的基础上，降低整个开关的导通时间和抖动，获得更优的导通性能；选择两个间隙内触头的结构尺寸，利用两者间产生磁场的相互配合，提升整个开关的重频开关能力；激光触发间隙与电触发真空间隙之间采用模块式螺纹连接的方式，既能根据脉冲功率系统的要求配置参数合理的间隙，又便于超过寿命周期间隙的更换。

公开(公告)号：CN106597271A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611166827.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  葛国伟 ,  段雄英 ,  黄智慧 ,  卢刚 ,  邹积岩

IPC: G01R31/327 ,  G01R19/00

CPC classification number: G01R31/3271 ,  G01R19/0046

Abstract: 本发明公开一种无地干扰、高精度的基于电流转移特性和磁吹的弧后电流测量方法，以电流转移特性为基础，以磁场吹弧为辅助，实现了测量回路与主回路的隔离测量，可有效避免地干扰信号；同时本发明通过转移支路电阻参数设计和磁吹作用，可有效控制转移电阻支路的电流，使得真空开关在主电流峰值之后分闸即可，因此对真空开关控制精度要求较低；具有测量精度高、干扰少，可靠性高等优点。另外，通过光纤隔离控制和数据通信，可满足电力系统弧后电流的在线测量。

公开(公告)号：CN119252705A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411274595.X

申请日：2024-09-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  卢刚 ,  向文俊 ,  段雄英 ,  张鸣 ,  卜亮 ,  于龙飞

IPC: H01H33/664 ,  H01H33/14 ,  H01H33/16

Abstract: 本发明属于高压大功率脉冲功率开关技术领域，具体涉及一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关。所述的开关包括激光触发间隙、自击穿间隙和激光触发系统；激光触发间隙的阴极导电杆端部为螺杆结构，多级自击穿真空间隙的阳极导电杆端部为螺母结构，两个间隙采用模块式螺纹结构连接；本发明采用激光触发真空间隙和多级自击穿真空间隙串联技术，自击穿间隙的各间隙长度采用逐级增大的设计方式，有效缩短前几级自击穿间隙的导通时间，提高开关的导通性能；通过在各间隙两端并联高压无感电阻(耦合电阻)调控自击穿间隙间的分压，使得级数越靠前的真空间隙分压越大，击穿时间越短，进一步加快前真空开关的导通。

公开(公告)号：CN108321000B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201810337488.5

申请日：2018-04-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  卢刚 ,  段雄英 ,  张豪 ,  张晓莉 ,  黄智慧 ,  邹积岩

IPC: H01H33/664 ,  H01H33/662 ,  C04B35/10 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明属于高压真空开关领域，涉及一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室，真空灭弧室包括上端盖、静触头、BST陶瓷壳、屏蔽罩、动触头、波纹管屏蔽罩、波纹管和下端盖。所述的BST陶瓷壳为柱状中空结构，上端盖和下端盖分别与BST陶瓷壳上下两端密闭连接，构成真空密闭空间；所述的屏蔽罩置于BST陶瓷壳内，静触头与上端盖的下端面连接；动触头的下端轴穿透下端盖，其下端轴上套有与下端盖连接的波纹管。本发明基于这种自均压式真空灭弧室构成的多断口真空断路器，可以在无均压电容的条件下，实现各个断口之间电压均匀分布，提高了多断口真空断路器的开断能力。这种自均压式多断口真空断路器用真空灭弧室结构简单，便于实现。

公开(公告)号：CN207938525U

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201820535054.1

申请日：2018-04-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  卢刚 ,  段雄英 ,  张豪 ,  张晓莉 ,  黄智慧 ,  邹积岩

IPC: H01H33/664 ,  H01H33/662 ,  C04B35/10 ,  C04B35/468

Abstract: 本实用新型属于高压真空开关领域，涉及一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室，真空灭弧室包括上端盖、静触头、BST陶瓷壳、屏蔽罩、动触头、波纹管屏蔽罩、波纹管和下端盖。所述的BST陶瓷壳为柱状中空结构，上端盖和下端盖分别与BST陶瓷壳上下两端密闭连接，构成真空密闭空间；所述的屏蔽罩置于BST陶瓷壳内，静触头与上端盖的下端面连接；动触头的下端轴穿透下端盖，其下端轴上套有与下端盖连接的波纹管。本实用新型基于这种自均压式真空灭弧室构成的多断口真空断路器，可以在无均压电容的条件下，实现各个断口之间电压均匀分布，提高了多断口真空断路器的开断能力。这种自均压式多断口真空断路器用真空灭弧室结构简单，便于实现。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利