一种硅及其掺杂纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN103523785A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201310487829.4

    申请日:2013-10-17

    Abstract: 一种硅及其掺杂纳米片的制备方法,其特征是块体硅作或经过元素掺杂的块体硅为阳极,钨棒或钼棒为阴极,调节两极间距在10~30mm;将反应室抽真空,充入一定比例的氢气和惰性气体;再将自动控制直流电弧金属纳米粉生产设备与冷却水系统相连接,接通电源并起弧,调节电流和两极间距,形成稳定的电弧;在氢等离子体热源作用下,阳极蒸发为气相硅原子态,形成原子团簇并凝聚成纳米粉体沉积于水冷的反应室内壁上或随循环气流输送至捕集室内。待纳米粉体完全沉积后,经过钝化工艺后搜集粉体,并进行初步筛分。硅纳米片的大小为3-500nm,厚度为1-5nm。本发明的方法过程简单、成本低廉、不产生有害物质,有产率高、产量大,可以实现工业化生产。

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