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公开(公告)号：CN101154715B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200710154373.4
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN101154712B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200710154385.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件，具有：基板；形成在上述基板上的源电极及漏电极；形成在上述源电极及上述漏电极上，由绝缘性材料构成，并且按照由上述源电极及上述漏电极构成的沟道区域上成为开口部的方式形成，且具备作为层间绝缘层的功能的绝缘性分隔部；在上述绝缘性分隔部的开口部内，且形成在上述源电极及上述漏电极上，由有机半导体材料构成的有机半导体层；形成在上述有机半导体层上，由绝缘性树脂材料构成的栅极绝缘层；和形成在上述栅极绝缘层上的栅电极；上述绝缘性分隔部的高度在0.1μm～1.5μm的范围内。从而，可提供具备晶体管性能良好的有机半导体晶体管，且能够以高生产率制造的有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN101154715A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710154373.4
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN101154714A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710162408.9
申请日：2007-09-29
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及使用有机半导体晶体管的有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器。该有机半导体元件，具有有机半导体晶体管，该有机半导体晶体管包括：基板和形成在基板上的栅极；形成在该栅极上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的作为多孔质体的源极和漏极；仅形成在该源极和漏极之间的由有机半导体材料构成的有机半导体层。
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公开(公告)号：CN101154712A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710154385.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件，具有：基板；形成在上述基板上的源电极及漏电极；形成在上述源电极及上述漏电极上，由绝缘性材料构成，并且按照由上述源电极及上述漏电极构成的沟道区域上成为开口部的方式形成，且具备作为层间绝缘层的功能的绝缘性分隔部；在上述绝缘性分隔部的开口部内，且形成在上述源电极及上述漏电极上，由有机半导体材料构成的有机半导体层；形成在上述有机半导体层上，由绝缘性树脂材料构成的栅极绝缘层；和形成在上述栅极绝缘层上的栅电极；上述绝缘性分隔部的高度在0.1μm～1.5μm的范围内。从而，可提供具备晶体管性能良好的有机半导体晶体管，且能够以高生产率制造的有机半导体元件。
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