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公开(公告)号：CN102758105A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210129180.4
申请日：2012-04-27
Applicant: 大学共同利用机关法人高能加速器研究机构 , 住友化学株式会社
CPC classification number: C22C21/00 , B23K35/286 , C22C45/08 , G01R33/3815 , G01R33/421 , H01F1/047
Abstract: 本发明提供用于超导磁体的磁屏蔽材料。本发明提供了一种磁屏蔽材料，所述磁屏蔽材料可以通过即使在例如77K以下的低温在1T以上的磁通量密度的强磁场中也具有优异的电导率从而减小厚度。在77K以下的低温在1T以上的磁通量密度的磁场中使用的磁屏蔽材料包含具有99.999质量％以上的纯度的铝。
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公开(公告)号：CN102760507A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210129884.1
申请日：2012-04-27
Applicant: 大学共同利用机关法人高能加速器研究机构 , 住友化学株式会社
IPC: H01B1/02
CPC classification number: H01B1/023
Abstract: 本发明提供用于超导磁体的配线材料。本发明提供了一种易于加工，并且还能在甚至例如1T以上的磁通量密度的强磁场中表现出优异的电导率的配线材料。在1T以上的磁通量密度的磁场中使用的配线材料包含具有99.999质量％以上的纯度的铝。
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公开(公告)号：CN102758106A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210129694.X
申请日：2012-04-27
Applicant: 大学共同利用机关法人高能加速器研究机构 , 住友化学株式会社
IPC: C22C21/00
Abstract: 本发明提供低温热导体。本发明提供了一种具有出色的热传导性质的热导体，所述热导体甚至能在低温例如液氮温度(77K)以下获得高热导率。在77K以下的低温在1T以上的磁通量密度的磁场中使用的热导体包含具有纯度99.999质量％以上的纯度并且还具有以质量计1ppm以下的铁含量的铝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227374A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147748.1
申请日：2009-11-30
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C01B33/033 , C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 本发明的目的在于提供含有铝的n型太阳能电池用硅。另外，提供经济地制造从含有铝的硅精制的添加磷的硅的方法。提供含有质量浓度为0.001～1.0ppm的铝及0.0011～1.1ppm的磷且磷/铝质量浓度比为1.1以上的n型太阳能电池用硅。另外，提供对含有铝的硅进行加热熔融而得到熔融物，向得到的熔融物中添加磷，或向含有铝的硅添加磷而得到混合物，对得到的混合物进行加热熔融，由此制备了含有铝、磷及硅的熔融混合物之后，在铸型内并在一个方向的温度梯度下使上述熔融混合物凝固的添加有磷的硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN101508436B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910003897.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C01B33/021 , C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033 , C01B33/037 , Y10S136/291
Abstract: 本发明提供一种掺杂硼的精制硅的制造方法，其是用金属铝还原卤化硅而得到还原硅，并从该还原硅、以较少的能量制造掺杂硼的硅(精制硅)的方法。本发明的制造方法的特征在于，用金属铝还原卤化硅而得到还原硅，加热熔融得到的还原硅，掺杂硼，然后在铸模内，在一个方向上设置树脂温度梯度的状态下使其凝结，由此进行精制。优选在酸洗还原硅之后加热熔融，掺杂硼。在减压下加热熔融还原硅之后，掺杂硼。在加热熔融还原硅之后使其在一个方向上凝结，精制，然后加热熔融，掺杂硼。
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公开(公告)号：CN101508436A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910003897.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C01B33/021 , C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033 , C01B33/037 , Y10S136/291
Abstract: 本发明提供一种掺杂硼的精制硅的制造方法，其是用金属铝还原卤化硅而得到还原硅，并从该还原硅、以较少的能量制造掺杂硼的硅(精制硅)的方法。本发明的制造方法的特征在于，用金属铝还原卤化硅而得到还原硅，加热熔融得到的还原硅，掺杂硼，然后在铸模内，在一个方向上设置树脂温度梯度的状态下使其凝结，由此进行精制。优选在酸洗还原硅之后加热熔融，掺杂硼。在减压下加热熔融还原硅之后，掺杂硼。在加热熔融还原硅之后使其在一个方向上凝结，精制，然后加热熔融，掺杂硼。
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公开(公告)号：CN102227374B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980147748.1
申请日：2009-11-30
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C01B33/033 , C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 本发明的目的在于提供含有铝的n型太阳能电池用硅。另外，提供经济地制造从含有铝的硅精制的添加磷的硅的方法。提供含有质量浓度为0.001～1.0ppm的铝及0.0011～1.1ppm的磷且磷/铝质量浓度比为1.1以上的n型太阳能电池用硅。另外，提供对含有铝的硅进行加热熔融而得到熔融物，向得到的熔融物中添加磷，或向含有铝的硅添加磷而得到混合物，对得到的混合物进行加热熔融，由此制备了含有铝、磷及硅的熔融混合物之后，在铸型内并在一个方向的温度梯度下使上述熔融混合物凝固的添加有磷的硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN101412512A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170341.8
申请日：2008-10-16
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , B22D27/045
Abstract: 本发明提供一种可在不用考查硅方向凝固物(4)中的铝浓度(C)的情况下即可切除粗硅区域(45)而制造精制硅(1)的方法。本发明的制造方法中，由目标最大铝浓度(C10max)和温度梯度(T)及凝固速度(R(mm/分))求出满足下式(1)及式(2)的基准凝固率(f0)，在被凝固的过程中的凝固率(f)相当于f0的部位将上述硅方向凝固物(4)切断，k＝{K1×Ln(R)+K2}×{K3×exp[K4×R×(K5×C2+K6)]}×{K7×T+K8}－K9(1)，式(1)中，k是从按照满足下述式(2)的方式求得的铝有效分配系数k′的0.9倍～1.1倍的范围中选择的系数，C10max＝k′×C2×(1－f0)k′－1(2)(k′表示铝有效分配系数，C2表示原料硅熔液的铝浓度)。
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