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公开(公告)号:CN1222760C
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN02124323.9
申请日:2002-06-11
Applicant: 大和制衡株式会社 , 日本电波工业株式会社
IPC: G01G3/16
CPC classification number: G01G3/13
Abstract: 本发明揭示一种使用晶体振子的荷重传感器。在长板状的AT切割的晶体振子1的两面的中央部,分别设置有激励用电极2,2,经激励用电极2,2把电信号送到晶体振子1的中央部1a时,该中央部1a向晶体振子1的长度方向产生厚度平滑振动,此外然后,在晶体振子1的中央部1a与两端部1b,1b之间的中间部1c,1c上在两面分别形成从剖面看呈沟形、半圆形,或梯形的板幅方向的槽。这些槽以晶体振子1的厚度方向的中央位置为基准对称地用蚀刻法形成。本发明提供使用晶体振子的荷重传感器,这种晶体振子的Q值高、并能抑制振动能量损失。
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公开(公告)号:CN1391089A
公开(公告)日:2003-01-15
申请号:CN02124323.9
申请日:2002-06-11
Applicant: 大和制衡株式会社 , 日本电波工业株式会社
IPC: G01G3/16
CPC classification number: G01G3/13
Abstract: 本发明揭示一种使用晶体振子的荷重传感器。在长板状的AT切割的晶体振子1的两面的中央部,分别设置有激励用电极2,2,经激励用电极2,2把电信号送到晶体振子1的中央部1a时,该中央部1a向晶体振子1的长度方向产生厚度平滑振动,此外然后,在晶体振子1的中央部1a与两端部1b,1b之间的中间部1c,1c上在两面分别形成从剖面看呈沟形、半圆形,或梯形的板幅方向的槽。这些槽以晶体振子1的厚度方向的中央位置为基准对称地用蚀刻法形成。本发明提供使用晶体振子的荷重传感器,这种晶体振子的Q值高、并能抑制振动能量损失。
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公开(公告)号:CN1677066A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510005918.6
申请日:2002-06-11
Applicant: 大和制衡株式会社 , 日本电波工业株式会社
IPC: G01G3/16
CPC classification number: G01G3/13
Abstract: 本发明揭示一种使用晶体振子的荷重传感器。在长板状的AT切割的晶体振子1的两面的中央部,分别设置有激励用电极2,2,经激励用电极2,2把电信号送到晶体振子1的中央部1a时,该中央部1a向晶体振子1的长度方向产生厚度平滑振动,此外然后,在晶体振子1的中央部1a与两端部1b,1b之间的中间部1c,1c上在两面分别形成从剖面看呈沟形、半圆形,或梯形的板幅方向的槽。这些槽以晶体振子1的厚度方向的中央位置为基准对称地用蚀刻法形成。本发明提供使用晶体振子的荷重传感器,这种晶体振子的Q值高、并能抑制振动能量损失。
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公开(公告)号:CN101478298B
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN200810136695.0
申请日:2008-10-17
Applicant: 日本电波工业株式会社
IPC: H03H9/19
CPC classification number: H03H9/19 , H03H9/02023 , H03H9/177
Abstract: 一种晶体元件,具有从石英晶体切割出的晶体坯,晶体坯的主平面正交于Y”轴,其中Y轴和Z轴以石英晶体的X轴为中心旋转α角度后指定为Y’轴和Z’轴,并且X轴和Y’轴以Z’轴为中心旋转β角度后指定为X’轴和Y”轴。晶体坯具有相互正交的两条应力零敏感度轴。在晶体坯中,两条应力零敏感度轴交叉处的中心部分的厚度增加,并且形成从中心部分向外周部分限定四角锥形形状的脊线部分。晶体坯沿着底面的截面厚度在中心区域较大,并且朝着两末端逐渐变小。
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公开(公告)号:CN101478298A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200810136695.0
申请日:2008-10-17
Applicant: 日本电波工业株式会社
IPC: H03H9/19
CPC classification number: H03H9/19 , H03H9/02023 , H03H9/177
Abstract: 一种晶体元件,具有从石英晶体切割出的晶体坯,晶体坯的主平面正交于Y”轴,其中Y轴和Z轴以石英晶体的X轴为中心旋转α角度后指定为Y’轴和Z’轴,并且X轴和Y’轴以Z’轴为中心旋转β角度后指定为X’轴和Y”轴。晶体坯具有相互正交的两条应力零敏感度轴。在晶体坯中,两条应力零敏感度轴交叉处的中心部分的厚度增加,并且形成从中心部分向外周部分限定四角锥形形状的脊线部分。晶体坯沿着底面的截面厚度在中心区域较大,并且朝着两末端逐渐变小。
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