公开(公告)号：CN108463752B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201780005944.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 多伦多大学理事会

Inventor： 韦斯利·大卫·萨克 ,  乔伊斯·凯·时·潘

IPC: G02B6/35 ,  H04B10/27

Abstract: 一种硅光子平台，包括支撑掩埋氧化物层的衬底，沉积在所述掩埋氧化物层上的有源硅层，通过第一间隔层与所述有源硅层分隔的第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述有源硅层构成第一光传递层间过渡结构，通过第二间隔层与所述第一氮化硅层分隔的包覆层包覆的第二氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层构成第二光传递层间过渡结构。所述第二氮化硅层横跨所述有源硅层中的一个或多个波导，从而限定了波导交叉。该氮化硅层可以用在所需工作波长范围内具有相似折射率和高光学透明度的等效电介质替代。

公开(公告)号：CN108463752A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201780005944.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 多伦多大学理事会

Inventor： 韦斯利·大卫·萨克 ,  乔伊斯·凯·时·潘

IPC: G02B6/35 ,  H04B10/27

Abstract: 一种硅光子平台，包括支撑掩埋氧化物层的衬底，沉积在所述掩埋氧化物层上的有源硅层，通过第一间隔层与所述有源硅层分隔的第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述有源硅层构成第一光传递层间过渡结构，通过第二间隔层与所述第一氮化硅层分隔的包覆层包覆的第二氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层构成第二光传递层间过渡结构。所述第二氮化硅层横跨所述有源硅层中的一个或多个波导，从而限定了波导交叉。该氮化硅层可以用在所需工作波长范围内具有相似折射率和高光学透明度的等效电介质替代。