公开(公告)号：CN1271760C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410038742.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蛭川秀一 ,  河西秀典 ,  山本圭 ,  西本浩之

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/00

Abstract: 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n-侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p-侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n-侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p-侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。

公开(公告)号：CN1533004A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410038742.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蛭川秀一 ,  河西秀典 ,  山本圭 ,  西本浩之

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/00

Abstract: 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n－侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p－侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n－侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p－侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。