公开(公告)号：CN100354339C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200480004832.5

申请日：2004-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 花戸宏之 ,  中川政俊 ,  田村壽宏

IPC: C08G77/04 ,  C07F7/12 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786

Abstract: 公开一种有机薄膜，它具有决定薄膜特性的因素的有机材料的化学结构和薄膜的高级数结构，例如，分子的可结晶性即取向。还公开由其主链结构部分任意具有电，光，电化学功能的分子构成，和简单形成这种功能有机薄膜的方法。功能有机薄膜由式R-SiX1X2X3(I)表示的硅化合物形成，其中R是有机残基，所述残基具有被官能团p取代的端基，并在残基上连接π电子共轭单元，X1，X2和X3相同或不同，能通过水解提供羟基。

公开(公告)号：CN101080821A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580043513.X

申请日：2005-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川政俊 ,  花戸宏之 ,  田村壽宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 公开了一种有机薄膜晶体管，其包括：有机薄膜，通过栅极绝缘膜形成于该有机薄膜的一个表面上的栅电极、形成于该栅电极的两侧与有机薄膜的一个表面或另一表面接触的源/漏电极、以及布置在该有机表面与栅极绝缘膜之间和/或在有机薄膜与源/漏电极之间的有机硅烷化合物膜。

公开(公告)号：CN1753935A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200480004832.5

申请日：2004-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 花戸宏之 ,  中川政俊 ,  田村夀宏

IPC: C08G77/04 ,  C07F7/12 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786

Abstract: 公开一种有机薄膜，它具有决定薄膜特性的因素的有机材料的化学结构和薄膜的高级数结构，例如，分子的可结晶性即取向。还公开由其主链结构部分任意具有电，光，电化学功能的分子构成，和简单形成这种功能有机薄膜的方法。功能有机薄膜由式R－SiX1X2X3(I)表示的硅化合物形成，其中R是有机残基，所述残基具有被官能团p取代的端基，并在残基上连接π电子共轭单元，X1，X2和X3相同或不同，能通过水解提供羟基。