公开(公告)号：CN106463411A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025928.8

申请日：2015-02-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木贵光 ,  矶部雅哉 ,  久保胜

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 场效应晶体管(GaN类HFET)包括：栅极电极一端部与栅极电极焊盘(16)的第一配线(22)；连接栅极电极(13)的另一端部与栅极电极焊盘(16)的第二配线(23)；和与第一配线(22)连接，能够调节第一配线(22)的阻抗的电阻元件(17)。(13)；栅极电极焊盘(16)；连接栅极电极(13)的

公开(公告)号：CN106464245B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201580026393.6

申请日：2015-02-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 矶部雅哉

IPC: H03K17/16 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

Abstract: 复合型半导体装置(1)包括在第一端子和第二端子(17、19)之间彼此串联连接的常导通型的第一FET(11)和常截止型的第二FET(12)。复合型半导体装置(1)还包括保护电路，该保护电路包括：与第二FET并联连接的放电用开关元件(16)；和配置在第一端子和第二端子(17、19)之间，用于在第一端子被施加浪涌时使放电用开关元件导通的触发电路。

公开(公告)号：CN106463411B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201580025928.8

申请日：2015-02-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木贵光 ,  矶部雅哉 ,  久保胜

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 场效应晶体管(GaN类HFET)包括：栅极电极(13)；栅极电极焊盘(16)；连接栅极电极(13)的一端部与栅极电极焊盘(16)的第一配线(22)；连接栅极电极(13)的另一端部与栅极电极焊盘(16)的第二配线(23)；和与第一配线(22)连接，能够调节第一配线(22)的阻抗的电阻元件(17)。

公开(公告)号：CN106464245A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026393.6

申请日：2015-02-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 矶部雅哉

IPC: H03K17/16 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

Abstract: 复合型半导体装置(1)包括在第一端子和第二端子(17、19)之间彼此串联连接的常导通型的第一FET(11)和常截止型的第二FET(12)。复合型半导体装置(1)还包括保护电路，该保护电路包括：与第二FET并联连接的放电用开关元件(16)；和配置在第一端子和第二端子(17、19)之间，用于在第一端子被施加浪涌时使放电用开关元件导通的触发电路。