公开(公告)号：CN106575063A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042565.9

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 河村武彦 ,  樽井哲弥 ,  木本英伸

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板在转接区域内具备多个转接单元，以将共用电极、第1共用干配线(31)以及第2共用干配线(32)电连接。转接单元包含：接触孔(41)，其将与共用电极形成为一体的转接电极(37)和第1共用干配线(31)连接；以及接触孔(42)，其将转接电极(37)和第2共用干配线(32)连接。第2共用干配线(32)的非晶Si膜(122)在接触孔(41)的位置形成得比第2共用干配线(32)的主导体部(131)大，由作为保护绝缘膜的SiNx膜(151、152)覆盖。由此，防止转接电极在共用干配线的图案端部断开。

公开(公告)号：CN106575062A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580036053.1

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本英伸 ,  樽井哲弥 ,  濑口佳宏 ,  杉本刚久

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备数据线(24)，数据线(24)包含非晶Si膜(122)、n+非晶Si膜(123)、主导体部(133)以及IZO膜(141)。在光致抗蚀剂(142)的覆盖区域内的靠近端的部分对主导体部(133)和IZO膜(141)进行蚀刻，而使n+非晶Si膜(123)形成得比主导体部(133)和IZO膜(141)大。使源极层用的光掩模的图案比像素电极层用的光掩模的图案大，而使非晶Si膜(122)形成得比n+非晶Si膜(123)大。由钼系材料形成主导体部(133)，在数据线(24)的上层形成在一方产生压缩应力而在另一方产生拉伸应力的2层保护绝缘膜。由此，提供具有共用电极的高合格率的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN106575062B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201580036053.1

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本英伸 ,  樽井哲弥 ,  濑口佳宏 ,  杉本刚久

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备数据线(24)，数据线(24)包含非晶Si膜(122)、n+非晶Si膜(123)、主导体部(133)以及IZO膜(141)。在光致抗蚀剂(142)的覆盖区域内的靠近端的部分对主导体部(133)和IZO膜(141)进行蚀刻，而使n+非晶Si膜(123)形成得比主导体部(133)和IZO膜(141)大。使源极层用的光掩模的图案比像素电极层用的光掩模的图案大，而使非晶Si膜(122)形成得比n+非晶Si膜(123)大。由钼系材料形成主导体部(133)，在数据线(24)的上层形成在一方产生压缩应力而在另一方产生拉伸应力的2层保护绝缘膜。由此，提供具有共用电极的高合格率的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN106575063B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201580042565.9

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 河村武彦 ,  樽井哲弥 ,  木本英伸

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板在转接区域内具备多个转接单元，以将共用电极、第1共用干配线(31)以及第2共用干配线(32)电连接。转接单元包含：接触孔(41)，其将与共用电极形成为一体的转接电极(37)和第1共用干配线(31)连接；以及接触孔(42)，其将转接电极(37)和第2共用干配线(32)连接。第2共用干配线(32)的非晶Si膜(122)在接触孔(41)的位置形成得比第2共用干配线(32)的主导体部(131)大，由作为保护绝缘膜的SiNx膜(151、152)覆盖。由此，防止转接电极在共用干配线的图案端部断开。