公开(公告)号：CN103210500A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180055117.4

申请日：2011-11-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷村泰树 ,  奈须野善之 ,  岛田久浬代

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，将半导体层形成气体导入反应室（70）内，通过使上述半导体层形成气体发生等离子体放电而在规定层上形成半导体层（4、304）。在上述半导体层形成气体的基础上，将杂质气体导入上述反应室内，通过使包含上述半导体层形成气体及上述杂质气体的第一导电型层形成气体发生等离子体放电，以覆盖上述半导体层的方式形成第一导电型的第一导电型层（5、305）。在形成上述第一导电型层的工序中，在形成上述半导体层的等离子体放电处理结束后而上述反应室内的压力仍未减压至极限真空度的状态下，供给到上述反应室的气体的组份设定值从上述半导体层形成气体的组份过渡为上述第一导电型层形成气体的组份。能够提高半导体装置的制造方法的生产性。