公开(公告)号：CN106456360A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032220.5

申请日：2015-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小柳智裕 ,  山崎幸生

IPC: A61F7/03 ,  A61M21/02

CPC classification number: A61M21/02 ,  A61F7/007 ,  A61F7/08 ,  A61F2007/0071 ,  A61F2007/0086 ,  A61F2007/0093 ,  A61F2007/0096 ,  A61M2021/0027 ,  A61M2021/0066 ,  A61M2021/0083 ,  A61M2205/3303 ,  A61M2205/3372 ,  A61M2205/3375 ,  A61M2205/36 ,  A61M2205/502 ,  A61M2210/10 ,  A61M2230/63

Abstract: 在睡眠控制电热毯中，从起床45分钟前使体温上升，因此若考虑到约90分钟的雷姆/非雷姆睡眠的周期，则有时无法在雷姆睡眠的时间段使体温上升，对于得到舒适的起床状态而言是不够的。本发明的睡眠控制系统(1)具备与人体接触而进行加热的温热部(2)和控制温热部(2)的加热动作的控制部(3)，上述睡眠控制系统的特征在于，温热部(2)在从预定起床时刻的90～150分钟前的开始加热时刻到预定起床时刻为止的期间，按36～41℃加热，并且在从就寝后或者就寝后经过一定时间后到开始加热时刻为止的期间，不按比33℃高的温度加热。

公开(公告)号：CN1983751A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610163101.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  山崎幸生 ,  山本秀一郎

IPC: H01S5/24 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/227

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。

公开(公告)号：CN106456360B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580032220.5

申请日：2015-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小柳智裕 ,  山崎幸生

IPC: A61F7/03 ,  A61M21/02

CPC classification number: A61M21/02 ,  A61F7/007 ,  A61F7/08 ,  A61F2007/0071 ,  A61F2007/0086 ,  A61F2007/0093 ,  A61F2007/0096 ,  A61M2021/0027 ,  A61M2021/0066 ,  A61M2021/0083 ,  A61M2205/3303 ,  A61M2205/3372 ,  A61M2205/3375 ,  A61M2205/36 ,  A61M2205/502 ,  A61M2210/10 ,  A61M2230/63

Abstract: 在睡眠控制电热毯中，从起床45分钟前使体温上升，因此若考虑到约90分钟的雷姆/非雷姆睡眠的周期，则有时无法在雷姆睡眠的时间段使体温上升，对于得到舒适的起床状态而言是不够的。本发明的睡眠控制系统(1)具备与人体接触而进行加热的温热部(2)和控制温热部(2)的加热动作的控制部(3)，上述睡眠控制系统的特征在于，温热部(2)在从预定起床时刻的90～150分钟前的开始加热时刻到预定起床时刻为止的期间，按36～41℃加热，并且在从就寝后或者就寝后经过一定时间后到开始加热时刻为止的期间，不按比33℃高的温度加热。

公开(公告)号：CN1790844A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510131728.9

申请日：2005-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山崎幸生

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  G11B7/125

Abstract: 一种半导体激光器件，其通过大大减小在垂直方向的FFP形状与高斯形之间的差异量而提供到拾取光学系统的高的耦合效率，并能通过减小所需的工作功率而以低成本制造。该半导体激光器件设置有按此顺序层叠的负电极、GaN衬底、第一n型覆层、n型光遮挡层、第一载流子停止层、有源层、第二载流子停止层、p型光波导层、p型覆层、p型接触层和正电极。

公开(公告)号：CN1983751B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610163101.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  山崎幸生 ,  山本秀一郎

IPC: H01S5/24 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/227

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。

公开(公告)号：CN100379103C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510131728.9

申请日：2005-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山崎幸生

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  G11B7/125

Abstract: 一种半导体激光器件，其通过大大减小在垂直方向的FFP形状与高斯形之间的差异量而提供到拾取光学系统的高的耦合效率，并能通过减小所需的工作功率而以低成本制造。该半导体激光器件设置有按此顺序层叠的负电极、 GaN 衬底、第一n型覆层、n型光遮挡层、第一载流子停止层、有源层、第二载流子停止层、p型光波导层、p型覆层、p型接触层和正电极。