公开(公告)号：CN102334201A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009510.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤雅之 ,  宫田正高 ,  山室太郎 ,  横田省二

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明的发光装置、发光装置单元、以及制造发光装置的发光装置制造方法的一种实施方式中，发光装置(100)包括具有基板(131)、在基板(131)上配置的半导体发光元件(121)、以及与半导体发光元件(121)连接的电阻(122)的发光装置单元(120)。电阻(122)与半导体发光元件(121)并联连接，电阻(122)的电阻值设定为在对半导体发光元件(121)施加使半导体发光元件(121)发光的发光动作电压时，流至电阻(122)的电流为流至半导体发光元件(121)的电流的1/50以下的值。

公开(公告)号：CN102334201B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201080009510.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤雅之 ,  宫田正高 ,  山室太郎 ,  横田省二

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明的发光装置、发光装置单元、以及制造发光装置的发光装置制造方法的一种实施方式中，发光装置(100)包括具有基板(131)、在基板(131)上配置的半导体发光元件(121)、以及与半导体发光元件(121)连接的电阻(122)的发光装置单元(120)。电阻(122)与半导体发光元件(121)并联连接，电阻(122)的电阻值设定为在对半导体发光元件(121)施加使半导体发光元件(121)发光的发光动作电压时，流至电阻(122)的电流为流至半导体发光元件(121)的电流的1/50以下的值。