氮化物半导体场效应晶体管

    公开(公告)号:CN107431021A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201580078398.3

    申请日:2015-10-20

    Abstract: 在氮化物半导体场效应晶体管中,第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2),另一方面,第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分,朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出,并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成,且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。

    用于位置检测的光接收元件与具有其的传感器和电子设备

    公开(公告)号:CN1928517A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610151542.4

    申请日:2006-09-11

    Inventor: 小山顺一郎

    CPC classification number: H01L27/1446

    Abstract: 本发明公开了一种用于位置检测的光接收元件与具有其的传感器和电子设备。所述光接收元件包括:多个按矩阵排列的光接收单元,每一光接收单元将入射光转换为电信号,并且具有极性彼此不同的阳极电极和阴极电极;第一到第四输出端子;包括多个电阻器的第一到第四电阻单元,每一所述电阻器的一端连接至对应于所述光接收单元的矩阵中的第一列、最后一列、第一行和最后一行的所述光接收单元的所述阳极,另一端连接至所述第一到第四输出端子;以及包括多个电阻器的第五电阻单元,所述多个电阻器连接彼此相邻的光接收单元的阳极电极,其中,在矩阵中,将各光接收单元的阴极电极连接到公共电势。

    氮化物半导体场效应晶体管

    公开(公告)号:CN107431021B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201580078398.3

    申请日:2015-10-20

    Abstract: 在氮化物半导体场效应晶体管中,第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2),另一方面,第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分,朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出,并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成,且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。

    半导体受光器与UV传感器设备

    公开(公告)号:CN100481527C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200510095945.7

    申请日:2005-08-23

    Inventor: 小山顺一郎

    CPC classification number: H01L31/103

    Abstract: 提供一种甚至对短波长辐射也有高的光电转换效率的半导体受光器和UV传感器设备。半导体受光器包括阴极层(1)和形成在阴极层(1)表面的阳极层(2),阴极层(1)的一部分是受光区域(3),它位于阴极层(1)与一个阳极层(2)之间的pn结与阴极层(1)与另一阳极层(2)之间的pn结之间。

    半导体受光器与UV传感器设备

    公开(公告)号:CN1741287A

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN200510095945.7

    申请日:2005-08-23

    Inventor: 小山顺一郎

    CPC classification number: H01L31/103

    Abstract: 提供一种甚至对短波长辐射也有高的光电转换效率的半导体受光器和UV传感器设备。半导体受光器包括阴极层(1)和形成在阴极层(1)表面的阳极层(2),阴极层(1)的一部分是受光区域(3),它位于阴极层(1)与一个阳极层(2)之间的pn结与阴极层(1)与另一阳极层(2)之间的pn结之间。

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