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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110870080A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880041877.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置具备配置于半导体基板(1)的背面侧的p型扩散层(11)以及n型扩散层(12)、电极(4～6)、以及布线基板(8)。电极(4、6)配置于p型扩散层(11)上，电极(5)配置于n型扩散层(12)上。布线基板(8)的布线(82)通过导电性联接层(7)与电极(4、6)连接，布线(83)通过导电性联接层(7)与电极(5)连接。电极(6)在x轴方向上的n型扩散层(12)的两端侧配置于n型扩散层(12)的端部与半导体基板(1)的端部之间。
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公开(公告)号：CN110603649A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029963.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置具备：配置于半导体基板(1)的背面的第一非晶质半导体层(3)以及第二非晶质半导体层(4)、电极(5、6)、以及布线基板(8)。电极(5、6)分别配置于第一非晶质半导体层(3)以及第二非晶质半导体层(4)上。布线基板(8)的布线(82)通过导电性联接层(7)而与电极(5)连接。布线基板(8)的布线(83)通过导电性联接层(7)而与电极(5)连接。电极(5)包含导电层(51、52)，电极(6)包含导电层(61、62)。导线层(51、61)各自以银为主要成分。导电层(52、62)分别覆盖导电层(51、52)。并且，导电层(52、62)各自由比银易于氧化的金属形成。
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公开(公告)号：CN110603649B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880029963.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置具备：配置于半导体基板(1)的背面的第一非晶质半导体层(3)以及第二非晶质半导体层(4)、电极(5、6)、以及布线基板(8)。电极(5、6)分别配置于第一非晶质半导体层(3)以及第二非晶质半导体层(4)上。布线基板(8)的布线(82)通过导电性联接层(7)而与电极(5)连接。布线基板(8)的布线(83)通过导电性联接层(7)而与电极(5)连接。电极(5)包含导电层(51、52)，电极(6)包含导电层(61、62)。导线层(51、61)各自以银为主要成分。导电层(52、62)分别覆盖导电层(51、52)。并且，导电层(52、62)各自由比银易于氧化的金属形成。
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公开(公告)号：CN107924957A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049532.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池,具有:第一导电型或是第二导电型的半导体基板(1)、半导体基板(1)上的非晶硅膜(6、7)、及非晶硅膜(6、7)上的电极(8、9)。非晶硅膜(6、7)的电极(8、9)侧的区域与电极(8、9)含有银及银以外的金属。
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公开(公告)号：CN110870080B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880041877.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置具备配置于半导体基板(1)的背面侧的p型扩散层(11)以及n型扩散层(12)、电极(4～6)、以及布线基板(8)。电极(4、6)配置于p型扩散层(11)上，电极(5)配置于n型扩散层(12)上。布线基板(8)的布线(82)通过导电性联接层(7)与电极(4、6)连接，布线(83)通过导电性联接层(7)与电极(5)连接。电极(6)在x轴方向上的n型扩散层(12)的两端侧配置于n型扩散层(12)的端部与半导体基板(1)的端部之间。
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