公开(公告)号：CN102782864B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080064809.0

申请日：2010-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木和明 ,  安居院高明

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 涉及一种多结化合物半导体太阳能电池，在所述第1单元(40A，40B)和所述第2单元(40C)之间的缓冲层(41)中，设置多个半导体层使得晶格常数按照从第1单元(40A，40B)侧至第2单元(40C)侧的顺序增大，在多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)位于比缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近第1单元(40A，40B)侧的位置。

公开(公告)号：CN102782864A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080064809.0

申请日：2010-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木和明 ,  安居院高明

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 涉及一种多结化合物半导体太阳能电池，在所述第1单元(40A，40B)和所述第2单元(40C)之间的缓冲层(41)中，设置多个半导体层使得晶格常数按照从第1单元(40A，40B)侧至第2单元(40C)侧的顺序增大，在多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)位于比缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近第1单元(40A，40B)侧的位置。