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公开(公告)号：CN110174795A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910122893.X
申请日：2019-02-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
Abstract: 提供能抑制开口率的降低并能抑制斜视混色的液晶显示装置。按顺序具备第一基板、液晶层和第二基板，第一基板和第二基板中的至少一方在相邻的不同颜色的图像元素间具有遮光构件，第一基板具备设有狭缝的第二电极，狭缝包含在第一方向延伸的主狭缝部和在第二方向延伸的副狭缝部，初始取向状态的液晶分子的长轴和短轴中的介电常数较大的一个轴的轴方向与第二方向所成的角比轴方向与第一方向所成的角大，在遮光构件位于第一基板上的情况下，遮光构件在配置于两侧的不同颜色的图像元素的副狭缝部中的较近的副狭缝部侧被扩大宽度，较远的副狭缝部侧没有被扩大宽度，在遮光构件位于第二基板上的情况下，其在与位于第一基板上的情况相反的一侧被扩大宽度。
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公开(公告)号：CN109976024A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811347946.X
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 在彩色滤光片基板中，抑制遮光层周边部分的浓度不均的产生或光透射率的下降。CF基板(彩色滤光片基板)(10)包括：玻璃基板(光透射性基板)(11)、遮光层(51)、光透射层(53)以及着色层(52)，着色层(52)以从无夹置遮光层等的区域BNR搁置于光透射层(53)的背面(上表面)且重叠于遮光层(51)的背面(上表面)的方式形成，在该无夹置遮光层等的区域BNR中，着色层(52)不经由遮光层(51)或光透射层(53)中的任一个层而层叠于玻璃基板(11)的背面(上表面)，光透射层(53)在可见光的整个波长区域中表现出比着色层(52)更高的光透射率，并且以其靠无夹置遮光层等的区域BNR侧的厚度尺寸d3小于靠遮光层(51)侧的厚度尺寸d1的方式形成。
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公开(公告)号：CN110931505B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910882773.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种显示装置，该显示装置的有源矩阵基板具有：基板；像素TFT，其支撑于基板的主面侧；栅极配线，其在第1方向上延伸；以及源极配线，其在与第1方向交叉的第2方向上延伸。像素TFT是顶栅结构TFT，具有：氧化物半导体层，其包含沟道区域；栅极电极，其电连接到栅极配线，隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上。有源矩阵基板还具有设置在基板与氧化物半导体层之间并被提供规定的电位的遮光性配线。遮光性配线包含：沟道遮光部，其对氧化物半导体层的沟道区域进行遮光；以及非重叠部，其包含在第1方向上延伸的部分，并且与栅极配线不重叠。
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公开(公告)号：CN110174795B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910122893.X
申请日：2019-02-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
Abstract: 提供能抑制开口率的降低并能抑制斜视混色的液晶显示装置。按顺序具备第一基板、液晶层和第二基板，第一基板和第二基板中的至少一方在相邻的不同颜色的图像元素间具有遮光构件，第一基板具备设有狭缝的第二电极，狭缝包含在第一方向延伸的主狭缝部和在第二方向延伸的副狭缝部，初始取向状态的液晶分子的长轴和短轴中的介电常数较大的一个轴的轴方向与第二方向所成的角比轴方向与第一方向所成的角大，在遮光构件位于第一基板上的情况下，遮光构件在配置于两侧的不同颜色的图像元素的副狭缝部中的较近的副狭缝部侧被扩大宽度，较远的副狭缝部侧没有被扩大宽度，在遮光构件位于第二基板上的情况下，其在与位于第一基板上的情况相反的一侧被扩大宽度。
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公开(公告)号：CN109976024B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201811347946.X
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 在彩色滤光片基板中，抑制遮光层周边部分的浓度不均的产生或光透射率的下降。CF基板(彩色滤光片基板)(10)包括：玻璃基板(光透射性基板)(11)、遮光层(51)、光透射层(53)以及着色层(52)，着色层(52)以从无夹置遮光层等的区域BNR搁置于光透射层(53)的背面(上表面)且重叠于遮光层(51)的背面(上表面)的方式形成，在该无夹置遮光层等的区域BNR中，着色层(52)不经由遮光层(51)或光透射层(53)中的任一个层而层叠于玻璃基板(11)的背面(上表面)，光透射层(53)在可见光的整个波长区域中表现出比着色层(52)更高的光透射率，并且以其靠无夹置遮光层等的区域BNR侧的厚度尺寸d3小于靠遮光层(51)侧的厚度尺寸d1的方式形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111812879A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010275575.X
申请日：2020-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1339
Abstract: 本发明要获得一种图像显示品质及耐表面按压力优异、且亮度降低得到抑制的显示面板。显示面板(10)包含：一对基板(20,30)，它们隔开基板间隔G而对置配置；多个像素(91)，它们由呈矩阵状排列的像素部(90)构成；像素部间遮光部(41)，其使像素部90之间分隔；间隔件(50)，其在与像素部间遮光部(41)重叠的位置夹设于基板(20,30)之间；以及扩展遮光部(42)，其设置为从像素部间遮光部(41)向像素部(90)的内侧扩展。间隔件(50)包含：规定基板间隔G的第一间隔件(50M)、具有小于基板间隔G的突出长度PS且从基板(20)向基板(30)突出的第二间隔件(50SA)及第三间隔件(50SB)；第三间隔件(50SB)的配设面积小于第二间隔件(50SA)。
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公开(公告)号：CN110931507A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910883506.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 一种有源矩阵基板的制造方法，包含如下工序：在基板上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；形成具有源极侧开口部和漏极侧开口部的绝缘层；在源极侧开口部内形成源极电极，在漏极侧开口部内形成漏极电极；形成具有第1接触孔的层间绝缘层；在层间绝缘层上和第1接触孔内形成第1透明导电膜；在第1透明导电膜的一部分上使用金属膜形成上部配线部；进行第1透明导电膜的图案化，由此形成像素电极和下部配线部；形成具有第2接触孔的电介质层；以及在电介质层上和第2接触孔内形成共用电极，在从基板的法线方向观看时，第1接触孔的底面与漏极侧开口部的底面至少部分重叠，第2接触孔的底面与源极侧开口部的底面至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN110931505A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910882773.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种显示装置，该显示装置的有源矩阵基板具有：基板；像素TFT，其支撑于基板的主面侧；栅极配线，其在第1方向上延伸；以及源极配线，其在与第1方向交叉的第2方向上延伸。像素TFT是顶栅结构TFT，具有：氧化物半导体层，其包含沟道区域；栅极电极，其电连接到栅极配线，隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上。有源矩阵基板还具有设置在基板与氧化物半导体层之间并被提供规定的电位的遮光性配线。遮光性配线包含：沟道遮光部，其对氧化物半导体层的沟道区域进行遮光；以及非重叠部，其包含在第1方向上延伸的部分，并且与栅极配线不重叠。
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公开(公告)号：CN110931508B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910883518.7
申请日：2019-09-18
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备构成周边电路的第1TFT和配置在各像素的第2TFT，第1TFT是顶栅或双栅TFT，第2TFT是底栅TFT，具有：岛状绝缘体层，其以在从基板的法线方向观看时与第2下部栅极电极的至少一部分重叠的方式配置在第2氧化物半导体层的一部分上；上部绝缘层，其配置在第2氧化物半导体层和岛状绝缘体层之上；以及源极电极，其配置在上部绝缘层上，第2氧化物半导体层中的与岛状绝缘体层不重叠的部分为电阻率比与岛状绝缘体层重叠的部分低的低电阻区域，在源极总线与栅极总线的交叉部中，下部绝缘层和上部绝缘层位于这些总线之间。
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公开(公告)号：CN110931506B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201910883505.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G06F3/041 , G06F3/044
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：TFT，其分别配置于多个像素区域，包含氧化物半导体层(7)；层间绝缘层，其覆盖TFT；以及配置于层间绝缘层上的多个像素电极、包含多个共用电极部分的共用电极及多个第1配线，TFT的源极和漏极电极隔着上部绝缘层配置于氧化物半导体层上，源极电极和漏极电极分别在形成于上部绝缘层的源极侧开口部和漏极侧开口部内与氧化物半导体层电连接，还具备连接漏极电极与1个像素电极的第1接触部和连接1个共用电极部分与1个第1配线的第2接触部，在从基板的主面的法线方向观看时，第1接触部与漏极侧开口部至少部分重叠，第2接触部与配置于多个像素区域中的任意一个像素区域的TFT的源极侧开口部至少部分重叠。
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