公开(公告)号：CN102471072A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030709.6

申请日：2010-07-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松本将之 ,  南野隆二 ,  杉冈亮一 ,  北条美穗 ,  山根聪 ,  肥后辉明

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 本发明的硅纯化装置的第1实施方式为一种硅纯化装置，该装置在减压容器内具备能够保持熔融硅(2)的坩埚(1)、能够设置在坩埚(1)上方的保温盖(5)、以及对熔融硅(2)进行加热的加热装置(3)，其中，在坩埚(1)的侧面外周部具有第1绝热材料(4)，保温盖(5)为碳毡制板状构件(502)，在其至少两个主面上具有碳复合材料(501a，501b)，保温盖(5)形成贯通其两个主面之间的开口部(6)，在保温盖(5)设置于坩埚(1)上面的状态下，设置保温盖(5)的坩埚(1)侧主面的碳复合材料(501a)，使其覆盖第1绝热材料(4)的上面。