公开(公告)号：CN103843251B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280047567.3

申请日：2012-07-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎 ,  内海俊一

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/013 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356069 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/018507

Abstract: 提供了一种基于噪声的误动作的可能性低，并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路（1）具备：分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2 MOSFET （12a、12b）；一端与移位电平电源端相连接，另一端分别与第1及第2 MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件（13a、13b），所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压；1对差分输入端分别连接到第1及第2 MOSFET的各漏极的比较器（14）；以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1 MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2 MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路（16）。

公开(公告)号：CN103843251A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047567.3

申请日：2012-07-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎 ,  内海俊一

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/013 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356069 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明提供了一种基于噪声的误动作的可能性低，并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路（1）具备：分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2MOSFET（12a、12b）；一端与移位电平电源端相连接，另一端分别与第1及第2MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件（13a、13b），所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压；1对差分输入端分别连接到第1及第2MOSFET的各漏极的比较器（14）；以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路（16）。